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XBP14E5UFN-G

Name: Torex Semiconductor XBP14E5UFN-G
Brand: Torex Semiconductor
SKU: 865-XBP14E5UFN-G
Price: 0.4 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

865-XBP14E5UFN-G

N° de fab. :

XBP14E5UFN-G

Fab. :

Torex Semiconductor

Description :

Diodes de protection ESD / diodes TVS Low Capacitance TVS Diode Array

Fiche technique:

XBP14E5UFN-G Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,404 €	0,40 €
	0,36 €	36,00 €
	0,353 €	176,50 €
	0,253 €	253,00 €
	0,234 €	585,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 5000)
	0,116 €	580,00 €
	0,10 €	1 000,00 €
	0,095 €	2 375,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Torex Semiconductor
Catégorie du produit:	Diodes de protection ESD / diodes TVS
RoHS:
Polarité:	Unidirectional
Nombre de canaux:	4 Channel
Tension de service:	5 V
Style du raccordement:	SMD/SMT
Blocage de la tension:	13 V
Tension de rupture:	6 V
Package/Boîte:	DFN-2510-10
Ipp - courant d'impulsion de crête:	2.5 A
Cd - Capacité de la diode:	0.8 pF
Vesd - Tension ESD par contact:	8 kV
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Torex Semiconductor
Produit:	TVS Diodes
Nombre de pièces de l'usine:	5000
Sous-catégorie:	ESD Protection Diodes / TVS Diodes

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Fiche technique

XBP14E5UFN-G Fiche technique (PDF)

RoHS Certificate (PDF)

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8536300000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411029
ECCN:: EAR99

XBP14E5UFN Low Capacitance TVS Diode Arrays

Torex XBP14E5UFN Low Capacitance TVS Diode Arrays are mounted adjacent to an external interface to protect an IC installed in a subsequent stage from static discharge. The low capacitance TVS diode array has a junction temperature of 125ºC and a storage temperature of -55 to +150ºC. The arrays also provide a breakdown voltage range (V_BR) of 6V to 9V. The TVS diode array comes in an ideal package size of DFN2510-10A.