MOSFET CoolSiC™ 650 V

Les MOSFET CoolSiC   ™ 650 V Infineon Technologies combinent la force physique du carbure de silicium avec des caractéristiques d’amplification des performances, de fiabilité et de facilité d’utilisation du composant. Grâce à son procédé de semi-conducteur à tranchée de pointe, le MOSFET CoolSiC™ offre les pertes les plus faibles de l’application et la plus haute fiabilité de fonctionnement. CoolSiC est idéal pour une utilisation dans les applications à haute température et dans les environnements difficiles.