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BYV10D-600PJ

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N° Mouser :

771-BYV10D-600PJ

N° de fab. :

BYV10D-600PJ

Fab. :

WeEn Semiconductors

Description :

Diodes de commutation de signal faible BYV10D-600P/TO252/REEL 13\" Q1/T1 *STANDARD MARK SMD

Fiche technique:

BYV10D-600PJ Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,826 €	0,83 €
	0,509 €	5,09 €
	0,348 €	34,80 €
	0,273 €	136,50 €
	0,234 €	234,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 2500)
	0,199 €	497,50 €
	0,16 €	800,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	WeEn Semiconductors
Catégorie du produit:	Diodes de commutation de signal faible
RoHS:
REACH - SVHC:
Produit:	Power Diodes
Style de montage:	SMD/SMT
Tension inverse de pointe:	600 V
Courant de surtension max.:	132 A
If - Courant direct:	10 A
Configuration:	Single
Délai de reprise:	40 ns
Vf - Tension directe:	1.07 V
Ir - Courant inverse:	10 uA
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	WeEn Semiconductors
Type de produit:	Diodes - General Purpose, Power, Switching
Nombre de pièces de l'usine:	2500
Sous-catégorie:	Diodes & Rectifiers
Raccourcis pour l'article N°:	934072251118

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Fiche technique

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TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
JPHTS:: 854110090
KRHTS:: 8541109000
MXHTS:: 8541100199
BRHTS:: 85411099
ECCN:: EAR99

BYV10D-600P Ultrafast Power Diode

WeEn Semiconductors BYV10D-600P Ultrafast Power Diode offers a low thermal resistance in a TO-252 (DPAK) plastic package. The BYV10D-600P Ultrafast Power Diode features a low forward voltage drop, low reverse recovery current, and low leakage current. The WeEn Semi BYV10D-600P Diode has a 600V repetitive peak reverse voltage and a junction temperature of +175°C.