STGWA20H65DFB2

STMicroelectronics
511-STGWA20H65DFB2
STGWA20H65DFB2

Fab. :

Description :
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
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Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
STMicroelectronics
Catégorie du produit: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.65 V
- 20 V, 20 V
40 A
147 W
- 55 C
+ 175 C
Tube
Marque: STMicroelectronics
Courant de fuite gâchette-émetteur: 250 nA
Type de produit: IGBT Transistors
Nombre de pièces de l'usine: 1200
Sous-catégorie: IGBTs
Poids de l''unité: 6,100 g
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Attributs sélectionnés: 0

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
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IGBT HB2 STGWA20H65DFB2

L'IGBT HB2 STGWA20H65DFB2 de STMicroelectronics est une évolution de la structure de grille en tranchée à arrêt de champ propriétaire avancée. La série HB2 optimise la conduction avec VCE(sat) de première qualité à des valeurs de courant faible et une énergie de commutation réduite. L'IGBT HB2 STGWA20H65DFB2 dispose d'une faible VCE(sat) de 1,65 V (std) à un IC de 20 A. 

IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série 1 200 V H

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IGBT V Series

STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

En stock: 911

Stock:
911 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
22 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,84 € 2,84 €
1,57 € 15,70 €
1,15 € 115,00 €
0,98 € 490,00 €
0,869 € 1 042,80 €
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