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NVTYS014N08HLTWG

Name: onsemi NVTYS014N08HLTWG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVTYS014N08HLTWG
Price: 1.44 EUR
Availability: Discontinued

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N° Mouser :

863-NVTYS014N08HLTWG

N° de fab. :

NVTYS014N08HLTWG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET T8 80V N-CH LL IN LFPAK33 PACKAGE

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

NVTYS014N08HLTWG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	1,44 €	1,44 €
	1,15 €	11,50 €
	0,894 €	89,40 €
	0,73 €	365,00 €
	0,64 €	640,00 €
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	0,387 €	1 161,00 €

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	LFPAK-33
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	40 A
Rds On - Résistance drain-source:	13.9 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.2 V
Qg - Charge de grille:	15.5 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	54 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	PH
Temps de descente:	7.5 ns
Transconductance directe - min.:	54 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9 ns
Série:	NVTYS014N08HL
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	26 ns
Délai d'activation standard:	8.7 ns

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Fiche technique

NVTYS014N08HLTWG Fiche technique

PCN

Product Change Notification 2024-06-12 (PDF)

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

MOSFET de puissance NVTYS014N08HL

Le MOSFET de puissance NVTYS014N08HL Onsemi est un MOSFET monocanal N 80 V, 13,9 mΩ et 40 A construit avec une conception compacte et efficace pour de hautes performances thermiques. Ce MOSFET dispose d’une faible R_{DS (ON)} pour minimiser les pertes de conduction et d’une faible capacité pour minimiser les pertes de pilote. Le MOSFET de puissance NVTYS014N08HL est homologué AEC-Q101 et compatible PPAP. Ce MOSFET est adapté à la protection inverse de la batterie, aux commutateurs d’alimentation, aux alimentations à commutation et autres applications automobiles.