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NVMFWS0D45N04XMT1G

Name: onsemi NVMFWS0D45N04XMT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-MFWS0D45N04XMT1G
Price: 4.42 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-MFWS0D45N04XMT1G

N° de fab. :

NVMFWS0D45N04XMT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET 40V T10M IN SO8FL HEFET PACKAGE

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

NVMFWS0D45N04XMT1G Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	DFNW-5
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	469 A
Rds On - Résistance drain-source:	450 uOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	115 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	180 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	5 ns
Transconductance directe - min.:	278 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	17 ns
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	46 ns
Délai d'activation standard:	11 ns

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Fiche technique

NVMFWS0D45N04XMT1G Fiche technique

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Malaisie
Pays de diffusion:: Japon

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET NVMFWS0D45N04XM

Le MOSFET NVMFWS0D45N04XM d'onsemi est un MOSFET à grille STD à canal N unique dans un boîtier SO8FL. Le dispositif présente une tension drain-source de 40 V, un courant de drain continu de 469 A et est conforme à la certification AECQ101. Le MOSFET NVMFWS0D45N04XM d'onsemi minimise les pertes de pilote et de conduction avec une faible capacité et R_DS(on). Le NVMFWS0D45N04XM est disponible dans un boîtier de petite empreinte de 5 mm x 6 mm et est idéal pour les entraînements de moteurs, la protection des batteries et le redressement synchrone.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

Présente une faible R_DS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

En stock: 3 609

Stock:: 3 609 Expédition possible immédiatement

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Délai usine :: 52 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

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Minimum : 1 Multiples : 1 Maximum : 406

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

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Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	4,42 €	4,42 €
	2,30 €	23,00 €
	2,09 €	209,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	2,09 €	3 135,00 €

NVMFWS0D45N04XMT1G

Fab. : onsemi

Description : MOSFET 40V T10M IN SO8FL HEFET PACKAGE

Caractéristiques

Documents (1)

Fiche technique

Produit et conformité commerciale

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MOSFET NVMFWS0D45N04XM

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onsemi

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