Modules IGBT à 3 niveaux 650 V

Les modules IGBT à 3 niveaux 650 V d'Infineon Technologies sont des modules EasyPACK™ dotés de la technologie Trench/Fieldstop. Ces modules se caractérisent par une conception à faible inductance, de faibles pertes de commutation et une faible VCE (sat). Les modules IGBT fournissent un substrat Al2O3 avec une faible résistance thermique, une conception compacte, la technologie de contact PressFIT et un montage robuste grâce à des brides de fixation intégrées. Les applications potentielles comprennent les applications à trois niveaux, les entraînements de moteurs, les applications solaires et les systèmes ASI dans les modules EasyPACK™.

Résultats: 4
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Produit Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Courant collecteur continu de 25 C Courant de fuite gâchette-émetteur Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Conditionnement
Infineon Technologies Modules IGBT EASY 2En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.46 V 100 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT EASY 4En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.68 V 70 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT EASY 11En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.68 V 150 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray
Infineon Technologies Modules IGBT EASY 9En stock
Min. : 1
Mult. : 1
IGBT Silicon Modules 3-Phase Inverter 650 V 1.68 V 150 A 100 nA - 40 C + 150 C Tray