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CGHV38375F

Name: MACOM CGHV38375F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV38375F
Price: 1021.54 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
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N° Mouser :

941-CGHV38375F

N° de fab. :

CGHV38375F

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN Amplifier, 375W, 2.7-3.8GHz, GaN, 50V

Fiche technique:

CGHV38375F Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
Restrictions en matière d'expédition :	Il se peut que des documents supplémentaires soient nécessaires pour une exportation depuis les États-Unis.
RoHS:
Style de montage:	Screw Mount
Package/Boîte:	440226
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	125 V
Id - Courant continu de fuite:	24 A
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Marque:	MACOM
Gain:	11 dB
Fréquence de fonctionnement max.:	3.75 GHz
Fréquence de fonctionnement min.:	2.75 GHz
Alimentation en sortie:	400 W
Conditionnement:	Tray
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	10
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	HEMT
Vgs - Tension de rupture grille-source:	- 10 V, 2 V

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Fiche technique

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900

GaN IM sur transistor SiC 400 W CGHV38375F

Le GaN adapté en interne sur transistor SiC (IM-FET) de 2,75 GHz à 3,75 GHz 400 W CGHV38375F de Wolfspeed offre un HPA de 400 W adapté à 50 ohms aux ports d'entrée et de sortie. Le CGHV38375F fonctionne à partir d'une couverture d'extension de 2,75 GHz à 3,75 GHz sur l'ensemble de la bande radar S-Band.