NVXK2TR80WDT

onsemi
863-NVXK2TR80WDT
NVXK2TR80WDT

Fab. :

Description :
Modules MOSFET APM32 SIC H-BRIDGE POWER MODULE

Cycle de vie:
Nouveau chez Mouser
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En stock: 48

Stock:
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Tarif est.:

Prix (EUR)

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36,47 € 364,70 €
32,35 € 3 882,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: Modules MOSFET
RoHS:  
SiC
Through Hole
APM-32
N-Channel
4 Channel
1.2 kV
20 A
116 mOhms
- 15 V, + 25 V
4.3 V
- 40 C
+ 175 C
82 W
NVXK2TR80WDT
Tube
Marque: onsemi
Configuration: Dual Half-Bridge
Temps de descente: 9 ns
Hauteur: 5.8 mm
Longueur: 44.2 mm
Type de produit: MOSFET Modules
Temps de montée: 12 ns
Nombre de pièces de l'usine: 60
Sous-catégorie: Discrete and Power Modules
Nom commercial: EliteSiC
Type: Half-Bridge
Délai d'activation standard: 12 ns
Largeur: 29 mm
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

Module au carbure de silicium (SiC) NVXK2TR80WDT

Le Module au carbure de silicium (SiC) NVXK2TR80WDT Onsemi est un module d'alimentation Elite à double demi-pont 1 200 V,Ω 80 m et 20 A logé dans un boîtier DIP (double alignement) APM32. Ce module à SiC est conçu de manière compacte pour avoir une faible résistance totale de module. Le module d'alimentation NVXK2TR80WDT est homologué pour l'automobile  selon AEC-Q101 et AQG324. Ce module d'alimentation est sans plomb, conformément aux directives RoHS et UL94V-0. Le module MOSFET EliteSiC NVXK2TR80WDT est idéal pour les chargeurs CC-CC HT et embarqués dans les applications xEV.