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MMBT4401-13-F

Name: Diodes Incorporated MMBT4401-13-F
Brand: Diodes Incorporated
SKU: 621-MMBT4401-13-F
Price: 0.11 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

621-MMBT4401-13-F

N° de fab. :

MMBT4401-13-F

Fab. :

Diodes Incorporated

Description :

Transistors bipolaires - BJT BIPOLAR TRANSISTOR NPN

Fiche technique:

MMBT4401-13-F Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,112 €	0,11 €
	0,07 €	0,70 €
	0,044 €	4,40 €
	0,032 €	16,00 €
	0,024 €	24,00 €
	0,021 €	105,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 10000)
	0,012 €	120,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

Autre conditionnement

Fab. Numéro de référence:

MMBT4401-7-F

Conditionnement:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Disponibilité:

En stock

Prix:

0,11 €

Min.:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Diodes Incorporated
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires - BJT
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Polarité du transistor:	NPN
Configuration:	Single
Courant CC max. du collecteur:	600 mA
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	40 V
Collecteur - Tension de base VCBO:	60 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	6 V
Tension de saturation collecteur-émetteur :	750 mV
Pd - Dissipation d’énergie :	310 mW
Produit gain-bande passante fT :	250 MHz
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	Diodes Incorporated
Pays d’assemblage:	Not Available
Pays de diffusion:	Not Available
Pays d'origine:	CN
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	20 at 100 uA, 1 V
Gain de courant CC hFE max.:	300 at 150 mA, 1 V
Type de produit:	BJTs - Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	10000
Sous-catégorie:	Transistors
Poids de l''unité:	8 mg

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Fiche technique

MMBT4401-13-F Fiche technique (PDF)

PCN

Environmental Compliance (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

MMBT4401 Bipolar Junction Transistor

Diodes Incorporated MMBT4401 Bipolar Junction Transistor (BJT) with epitaxial planar die construction is a 40V NPN small signal transistor. The MMBT4401 is qualified to AEC-Q101 standards for high reliability, available in the SOT23 package. This transistor is constructed from molded plastic "Green" compound and complies with UL94V-0 flammability rating. Diodes Incorporated MMBT4401 features a wide storage and operating temperature range of -55ºC to 150ºC. This BJT is RoHS compliant. The MMBT4401 transistor is ideal for medium power amplification and switching.