IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série 1 200 V H

Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série 1 200 V H de STMicroelectronics sont des IGBT à haute vitesse développés à l'aide d'une structure exclusive avancée de grille en tranchée et d'arrêt de champ. Ces dispositifs représentent le meilleur compromis entre les pertes de conduction et de commutation afin d'optimiser le rendement de tous les convertisseurs de fréquence. Grâce à la technologie de pointe d'arrêt de champ et de grille en tranchée haut débit de ST, ces IGBT ont une durée de tenue au court-circuit de 5 µs minimum à TJ=150 °C, une terminaison de coupure de courant au collecteur minimale et une faible tension de saturation (Vce(sat)) jusqu'à 2,1 V (standard), ce qui réduit les pertes d'énergie au moment de la mise en marche et de la commutation. De plus, un coefficient de température VCE(sat) légèrement positif et une distribution très étroite des paramètres entraînent un fonctionnement parallèle plus sûr. Les IGBT à arrêt de champ et grille en tranchée série 1 200 V H sont idéaux pour les alimentations sans coupure, les machines de soudage, les onduleurs photovoltaïques, la correction de facteur de puissance et les convertisseurs haute fréquence.
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement

STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Fiche technique
705En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGWA40H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Fiche technique
662En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 86 A 272 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Fiche technique
2 258En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220FP-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 24 W - 55 C + 175 C STGF5H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Fiche technique
2 931En stock
2 00020/05/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGP5H60DF Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Fiche technique
1 313En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGW25H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Fiche technique
615En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGW25H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Fiche technique
1 420En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGW40H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 1200 V 50 A high-speed H series IGBT
Fiche technique
490En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 100 A 535 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Fiche technique
137En stock
1 200Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 30 A 259 W - 55 C + 175 C STGW15H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 40 A high speed
Fiche technique
452En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 2.1 V - 20 V, 20 V 80 A 468 W - 55 C + 175 C STGW40H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long l
Fiche technique
911En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C Tube


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO247-4 pac
Fiche technique
59727/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 115 A 357 W - 55 C + 175 C Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long
Fiche technique
493En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.65 V - 20 V, 20 V 40 A 147 W - 55 C + 175 C HB2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Fiche technique
4 88229/06/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

Si DPAK-3 (TO-252-3) SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 83 W - 55 C + 175 C STGD5H60DF Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 7 A high speed
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 15 Semaines
Min. : 2 000
Mult. : 1 000

Si TO-220-3 Through Hole Single 600 V 1.95 V - 20 V, 20 V 14 A 88 W - 55 C + 175 C STGP7H60DF Tube


STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 15 A high speed
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 30 A 259 W - 55 C + 175 C STGWA15H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120DF2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 1200 V, 25 A high speed
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

Si Through Hole Single 1.2 kV 2.5 V - 20 V, 20 V 50 A 375 W - 55 C + 175 C STGWA25H120F2 Tube
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 15 Semaines
Min. : 2 000
Mult. : 1 000
: 1 000

Si D2PAK-3 SMD/SMT Single 600 V 1.5 V - 20 V, 20 V 10 A 88 W - 55 C + 175 C STGB5H60DF Reel
STMicroelectronics IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 30 A, soft-switching IH series IGBT in a TO-247 lo
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 14 Semaines
Min. : 600
Mult. : 600

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.55 V - 20 V, 20 V 60 A 180 W - 55 C + 175 C Tube