Modules IGBT EasyDUAL™ 1 B

Les modules IGBT EasyDUAL™ 1 B d'Infineon Technologies avec MOSFET CoolSiC™ offrent une très faible inductance parasite et un rendement exceptionnel permettant des fréquences plus élevées, une densité de puissance accrue et des exigences de refroidissement réduites. Les modules demi-pont 1 200 V, 8 mΩ sont dotés d’un capteur de température NTC intégré et de la technologie de contact PressFIT. Le matériau d’interface thermique est disponible sur les variantes xHP_B11. Ces composants disposent de plages de tension de commande de grille recommandées de 0 à 5 V et +15 V à +18 V, de tensions grille-source maximales de +23 V ou -10 V et d’options de résistance drain-source à l'état passant de 17 mΩ ou 33 mΩ. Les brides de fixation intégrées garantissent un montage robuste.

Résultats: 8
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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Type
Technologie
Série
Conditionnement
Infineon Technologies Modules à semi-conducteurs discrets CoolSiC MOSFET half-bridge module 1200 V
Fiche technique
402En stock
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Half Bridge Si Tray
Infineon Technologies Modules à semi-conducteurs discrets EASY
Fiche technique
48En stock
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Si M1H Tray
Infineon Technologies Modules à semi-conducteurs discrets Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Fiche technique
5En stock
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Modules à semi-conducteurs discrets Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Fiche technique
3En stock
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Modules à semi-conducteurs discrets Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Fiche technique
8En stock
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Modules à semi-conducteurs discrets Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Fiche technique
22En stock
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Modules à semi-conducteurs discrets Half-bridge 1200 V module with CoolSiC MOSFET
Fiche technique
29En stock
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Half Bridge Si M1H Tray
Infineon Technologies Modules à semi-conducteurs discrets CoolSiC MOSFET halfbridge module 1200 V
Fiche technique
36En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Half Bridge Si M1H Tray