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NVMJST1D3N04CTXG

Name: onsemi NVMJST1D3N04CTXG
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMJST1D3N04CTXG
Price: 3.67 EUR
Availability: InStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NVMJST1D3N04CTXG

N° de fab. :

NVMJST1D3N04CTXG

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

Fiche technique:

NVMJST1D3N04CTXG Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TCPAK-10
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	40 V
Id - Courant continu de fuite:	386 A
Rds On - Résistance drain-source:	1.39 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	3.5 V
Qg - Charge de grille:	65 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	375 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns
Transconductance directe - min.:	145 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	47 ns
Série:	NVMJST1D3N04C
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Délai de désactivation type:	36 ns
Délai d'activation standard:	15 ns

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Fiche technique

NVMJST1D3N04CTXG Fiche technique

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays d'origine de l'assemblage:: Philippines
Pays de diffusion:: États-Unis

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET de puissance à canal N NVMJST1D3N04C

Le MOSFET de puissance à canal N NVMJST1D3N04C onsemi est disponible en boîtier TCPAK5x7 pour des conceptions compactes et efficaces et pour de hautes performances thermiques. Le NVMJST1D3N04C est certifié AEC-Q101 et compatible PPAP. Le MOSFET NVMJST1D3N04C onsemi est idéal pour les applications automobiles nécessitant une fiabilité améliorée au niveau de la carte.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

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Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

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Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
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	1,43 €	715,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	1,34 €	4 020,00 €

NVMJST1D3N04CTXG

Fab. : onsemi

Description : MOSFET TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

Caractéristiques

Documents (1)

Fiche technique

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

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MOSFET de puissance à canal N NVMJST1D3N04C

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