NVMJST1D3N04CTXG

onsemi
863-NVMJST1D3N04CTXG
NVMJST1D3N04CTXG

Fab. :

Description :
MOSFET TRENCH 6 40V LFPAK 5X7

Modèle de ECAO:
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En stock: 2 415

Stock:
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Délai usine :
18 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
2,33 € 2,33 €
1,59 € 15,90 €
1,35 € 135,00 €
1,30 € 650,00 €
1,27 € 1 270,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
1,27 € 3 810,00 €

Attribut de produit Valeur d'attribut Sélectionner l'attribut
onsemi
Catégorie du produit: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
TCPAK-10
N-Channel
1 Channel
40 V
386 A
1.39 mOhms
- 20 V, 20 V
3.5 V
65 nC
- 55 C
+ 175 C
375 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
Marque: onsemi
Configuration: Single
Pays d’assemblage: Not Available
Pays de diffusion: Not Available
Pays d'origine: PH
Temps de descente: 9 ns
Transconductance directe - min.: 145 S
Type de produit: MOSFETs
Temps de montée: 47 ns
Série: NVMJST1D3N04C
Nombre de pièces de l'usine: 3000
Sous-catégorie: Transistors
Délai de désactivation type: 36 ns
Délai d'activation standard: 15 ns
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Attributs sélectionnés: 0

TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99

MOSFET de puissance à canal N NVMJST1D3N04C

Le MOSFET de puissance à canal N NVMJST1D3N04C onsemi est disponible en boîtier TCPAK5x7 pour des conceptions compactes et efficaces et pour de hautes performances thermiques. Le NVMJST1D3N04C est certifié AEC-Q101 et compatible PPAP. Le MOSFET NVMJST1D3N04C onsemi est idéal pour les applications automobiles nécessitant une fiabilité améliorée au niveau de la carte.