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 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Package/Boîte
Style de montage
Configuration
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Tension de saturation collecteur-émetteur
Tension de l'émetteur de porte max.
Courant collecteur continu de 25 C
Pd - Dissipation d’énergie
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement

onsemi IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
Fiche technique
598En stock
45030/06/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 120

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65SQD Tube

onsemi IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
Fiche technique
486En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 150 A 375 W - 55 C + 175 C FGH75T65SQDT Tube

onsemi IGBTs 650V FS4 Trench IGBT
Fiche technique
166En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.6 V - 20 V, 20 V 100 A 268 W - 55 C + 175 C FGH50T65SQD Tube

onsemi IGBTs IGBT 1200V 25A FS3 SOLAR/UPS
Fiche technique
1 920Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 300

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 50 A 349 W - 55 C + 175 C NGTB25N120FL3 Tube

onsemi IGBTs IGBT 1200V 40A FS3 SOLAR/UPS
Fiche technique
2 53921/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 180

Si TO-247-3 Through Hole Single 1.2 kV 1.7 V - 20 V, 20 V 80 A 454 W - 55 C + 175 C NGTB40N120FL3 Tube