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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
7 057En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 2 000

Si SMD/SMT HSOF-8 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 2.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
919En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 120 V 203 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Tube
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
1 027En stock
3 60002/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
1 678En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 800

Si SMD/SMT HDSOP-16 N-Channel 1 Channel 120 V 222 A 2.6 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 70 nC - 55 C + 175 C 278 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
1 174En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 800

Si SMD/SMT HSOG-8 N-Channel 1 Channel 120 V 331 A 1.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
2 215En stock
5 00002/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 194 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 59 nC - 55 C + 175 C 250 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
5 443En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 170 A 9 mOhms - 20 V, 20 V 1.7 V 33 nC - 55 C + 175 C 211 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
4 914En stock
10 00016/02/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8FL N-Channel 1 Channel 120 V 163 A 3.7 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 46 nC - 55 C + 175 C 214 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
5 584En stock
4 80005/03/2026 attendu
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 86 A 7.3 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 14.4 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
6 804En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT SuperSO-8 N-Channel 1 Channel 120 V 85 A 7.8 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
11 892En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 63 A 10.4 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
5 186En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT SuperSO-8 N-Channel 1 Channel 120 V 62 A 11 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 15.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
6 870En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 62 A 10.6 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 10.4 nC - 55 C + 175 C 94 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
402En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 1 000

Si SMD/SMT D2PAK-3 N-Channel 1 Channel 120 V 167 A 2.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 113 nC - 55 C + 175 C 395 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
1 498En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 24 A 15.1 mOhms - 20 V, 20 V 3.7 V 31 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
5En stock
5 00015/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Bobine: 5 000

Si SMD/SMT TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 120 V 24 A 33 mOhms - 20 V, 20 V 2.2 V 3.6 nC - 55 C + 175 C 43 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies IPB035N12NM6ATMA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 17 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000
Bobine: 1 000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 120 V 138 A 3.5 mOhms - 20 V, 20 V 3.6 V 58 nC - 55 C + 175 C 246 W Enhancement Reel
Infineon Technologies IPB133N12NM6ATMA1
Infineon Technologies MOSFET IFX FET >100-150V Délai de livraison produit non stocké 17 Semaines
Min. : 1 000
Mult. : 1 000
Bobine: 1 000

Si Reel