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NXH020U90MNF2PTG

Name: onsemi NXH020U90MNF2PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH020U90MNF2PTG
Price: 149.59 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NXH020U90MNF2PTG

N° de fab. :

NXH020U90MNF2PTG

Fab. :

onsemi

Description :

Modules MOSFET PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER

Fiche technique:

NXH020U90MNF2PTG Fiche technique

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Press Fit
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	900 V
Id - Courant continu de fuite:	149 A
Rds On - Résistance drain-source:	14 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 18 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	352 W
Série:	NXH020U90MNF2
Conditionnement:	Tray
Marque:	onsemi
Configuration:	Dual Common Source
Temps de descente:	12.8 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	19.8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	20
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	EliteSiC
Type:	SiC MOSFET Module
Délai de désactivation type:	110 ns
Délai d'activation standard:	43.2 ns
Vf - Tension directe:	2.3 V
Vr - Tension inverse:	1.2 kV

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Fiche technique

NXH020U90MNF2PTG Fiche technique

Material Composition Disclosure

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Modules au carbure de silicium (SiC) NXH020U90MNF2

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NXH020U90MNF2PTG

Fab. : onsemi

Description : Modules MOSFET PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER

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