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NXH020U90MNF2PTG

Name: onsemi NXH020U90MNF2PTG
Brand: onsemi
SKU: 863-NXH020U90MNF2PTG
Price: 142.43 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NXH020U90MNF2PTG

N° de fab. :

NXH020U90MNF2PTG

Fab. :

onsemi

Description :

Modules MOSFET PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER

Fiche technique:

NXH020U90MNF2PTG Fiche technique

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Modules MOSFET
RoHS:
Technologie:	SiC
Style de montage:	Press Fit
Polarité du transistor:	N-Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	900 V
Id - Courant continu de fuite:	149 A
Rds On - Résistance drain-source:	14 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 8 V, + 18 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.3 V
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	352 W
Série:	NXH020U90MNF2
Conditionnement:	Tray
Marque:	onsemi
Configuration:	Dual Common Source
Temps de descente:	12.8 ns
Type de produit:	MOSFET Modules
Temps de montée:	19.8 ns
Nombre de pièces de l'usine:	20
Sous-catégorie:	Discrete and Power Modules
Nom commercial:	EliteSiC
Type:	SiC MOSFET Module
Délai de désactivation type:	110 ns
Délai d'activation standard:	43.2 ns
Vf - Tension directe:	2.3 V
Vr - Tension inverse:	1.2 kV

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Fiche technique

NXH020U90MNF2PTG Fiche technique

Material Composition Disclosure

CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8542390070
ECCN:: EAR99

Modules au carbure de silicium (SiC) NXH020U90MNF2

Les modules au carbure de silicium (SiC) onsemi NXH020U90MNF2 sont des modules Vienna au SiC à 2 commutateurs à MOSFET au SiC de 900 V et 10 mΩ. Ces dispositifs onsemi disposent également de 2 diodes de 100 A sous 1 200 V au SiC et d'une thermistance. Le NXH020U90MNF2 est logé dans un boîtier F2. Les commutateurs SiC MOSFET utilisent la technologie M2 et sont pilotés par une commande de grille de 15 V à 18 V.