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NTR5198NLT1G

Name: onsemi NTR5198NLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NTR5198NLT1G
Price: 0.55 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

863-NTR5198NLT1G

N° de fab. :

NTR5198NLT1G

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH

Fiche technique:

NTR5198NLT1G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-23-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	60 V
Id - Courant continu de fuite:	2.2 A
Rds On - Résistance drain-source:	142 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	5.1 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.5 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	2 ns
Transconductance directe - min.:	3 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	7 ns
Série:	NTR5198NL
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	13 ns
Délai d'activation standard:	5 ns
Poids de l''unité:	8 mg

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Fiche technique

NTR5198NLT1G Fiche technique

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Chine
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Taïwan

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

NTR5198NL 60V N-Channel Power MOSFET

onsemi NTR5198NL 60V N-Channel Power MOSFET is a 60V 2.2A Power MOSFET in a small footprint industry standard surface mount SOT−23 package. This device offers low RDS(on) for low conduction losses and improved efficiency. These are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS compliant.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

MOSFET N voies double NVMFD5877NL

Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

En stock: 16 544

Stock:: 16 544

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Sur commande:: 21 000

05/01/2027 attendu

30 000

25/06/2027 attendu
Délai usine :: 51

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Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1 Maximum : 1050

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,559 €	0,56 €
	0,391 €	3,91 €
	0,248 €	24,80 €
	0,153 €	76,50 €
	0,113 €	113,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,113 €	339,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

NTR5198NLT1G

Fab. : onsemi

Description : MOSFET Pwr MOSFET 60V 2.2A 155mOhm SGL N-CH

Caractéristiques

Documents (6)

Fiche technique

PCN

Documents environnementaux

Produit et conformité commerciale

Plus d'informations

NTR5198NL 60V N-Channel Power MOSFET

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