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S29GL128S10TFIV20

Name: Infineon S29GL128S10TFIV20
Brand: Infineon Technologies
SKU: 797-29GL128S10TFIV20
Price: 6.53 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

797-29GL128S10TFIV20

N° de fab. :

S29GL128S10TFIV20

Fab. :

Infineon Technologies

Description :

Flash NOR 128Mb 3V 100ns Parallel Flash NOR

Fiche technique:

S29GL128S10TFIV20 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	6,53 €	6,53 €
	6,08 €	60,80 €
	5,89 €	147,25 €
	5,75 €	287,50 €
	5,62 €	562,00 €
	5,44 €	1 360,00 €
	5,30 €	2 650,00 €
	5,17 €	4 704,70 €
2 730	Devis

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	Infineon
Catégorie du produit:	Flash NOR
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSOP-56
Série:	S29GL128S
Taille de la mémoire:	128 Mbit
Tension d’alimentation - Min.:	2.7 V
Tension d’alimentation - Max.:	3.6 V
Courant de lecture actif maximal:	60 mA
Type d'interface:	Parallel
Organisation:	8 M x 16
Largeur du bus de données:	16 bit
Type de chronométrage:	Asynchronous
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Conditionnement:	Tray
Marque:	Infineon Technologies
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	NOR Flash
Vitesse:	100 ns
Nombre de pièces de l'usine:	910
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Nom commercial:	MirrorBit

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Attributs sélectionnés: 0

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Fiche technique

S29GL128S10TFIV20 Fiche technique (PDF)

Statement Regarding the RoHS Compliance of Cypress Products

Codes de conformité

TARIC:: 8542326100
CNHTS:: 8542329000
CAHTS:: 8542320090
USHTS:: 8542320071
JPHTS:: 8542320312
KRHTS:: 8542321040
MXHTS:: 8471600499
ECCN:: 3A991.b.1.a

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Thaïlande
Pays de diffusion:: Chine

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

S29GL128P NOR Flash Memory

Infineon Technologies S29GL128P NOR Flash Memory devices are single 3V read and write MIRRORBIT™ flash products fabricated on 90nm process technology. These devices offer a fast page access time of 25ns with a corresponding random access time as fast as 90ns. Features of the Infineon S29GL128P include a Write Buffer that allows a maximum of 32words/64B to be programmed in one operation. These devices are ideal for embedded applications that require high density, better performance, and low power consumption.