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NCV57001DWR2G

Name: onsemi NCV57001DWR2G
Brand: onsemi
SKU: 863-NCV57001DWR2G
Price: 5.17 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

863-NCV57001DWR2G

N° de fab. :

NCV57001DWR2G

Fab. :

onsemi

Description :

Commandes de grilles à isolement galvanique IGBT gate driver

Fiche technique:

NCV57001DWR2G Fiche technique

Modèle de ECAO:

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	5,17 €	5,17 €
	3,59 €	35,90 €
	3,29 €	82,25 €
	2,61 €	261,00 €
	2,50 €	625,00 €
	2,37 €	1 185,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1000)
	2,22 €	2 220,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	Commandes de grilles à isolement galvanique
RoHS:
Série:	NCV57001
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOIC-16
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 125 C
Pd - Dissipation d’énergie :	1.4 W
Temps de propagation maximal:	90 ns
Temps de montée:	10 ns
Temps de descente:	15 ns
Qualification:	AEC-Q100
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Inverting, Non-Inverting
Délai de désactivation max.:	90 ns
Délai d'activation max.:	90 ns
Nombre de pilotes:	1 Driver
Nombre de sorties:	1 Output
Courant d'alimentation de fonctionnement:	4.8 mA
Courant de sortie:	4 A
Produit:	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Type de produit:	Galvanically Isolated Gate Drivers
Nombre de pièces de l'usine:	1000
Sous-catégorie:	PMIC - Power Management ICs
Tension d’alimentation - Max.:	5 V
Tension d’alimentation - Min.:	3.3 V

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NCV57001DWR2G Fiche technique

CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

Pilotes de grille d’appariement avec MOSFET EliteSiC

Les applications d’Infrastructure énergétique telles que la charge des véhicules électriques, le stockage d’énergie, les systèmes d’alimentation sans interruption (ASI) et l’énergie solaire poussent les niveaux de puissance du système à des centaines de kilowatts, voire des mégawatts. Ces applications à haute puissance utilisent des topologies demi-pont, pont complet et triphasé cycle de service jusqu’à six commutateurs pour onduleurs et BLDC. En fonction du niveau de puissance et des vitesses de commutation, les concepteurs de systèmes utilisent diverses technologies de commutation, notamment le silicium, les IGBT et le SIC, pour répondre au mieux aux exigences des applications.

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NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Drivers

onsemi NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Drivers with internal galvanic isolation are designed for high system efficiency and reliability in high-power applications. The NCV57001's features include complementary inputs, open drain FAULT, Ready outputs, active Miller clamp, accurate UVLOs, DESAT protection, and soft turn-off at DESAT. The device allows both 5V and 3.3V signals on the input side and a wide bias voltage range on the driver side, including negative voltage capability. The device provides >5kV_rms (UL1577 rating) galvanic isolation and >1200V_iorm (working voltage) capabilities. The NCV57001 Isolated High Current IGBT Gate Driver is packaged to fulfill reinforced safety insulation requirements. The device is offered in a wide-body SOIC-16 package with a guaranteed 8mm creepage distance between input and output.