2N3904TA Transistors bipolaires - BJT

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Configuration
Courant CC max. du collecteur
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.
Collecteur - Tension de base VCBO
Émetteur - Tension de base VEBO
Tension de saturation collecteur-émetteur
Pd - Dissipation d’énergie
Produit gain-bande passante fT
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Série
Conditionnement
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Transistor General Purpose
Fiche technique
16 894En stock
16 00029/03/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 4 000
: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Ammo Pack
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Transistor General Purpose
Fiche technique
11 253En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 2 000
: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Ammo Pack
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Transistor General Purpose
Fiche technique
122 273En stock
70 00018/08/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 1 900

Si Through Hole TO-92-3 NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Bulk
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN Transistor General Purpose
Fiche technique
89 649En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 2 000
: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Reel, Cut Tape
onsemi Transistors bipolaires - BJT NPN 40V 200mA
Fiche technique
2 496En stock
26 000Sur commande
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 2 000
: 2 000

Si Through Hole TO-92-3 Kinked Lead NPN Single 200 mA 40 V 60 V 6 V 300 mV 625 mW 300 MHz - 55 C + 150 C 2N3904 Reel, Cut Tape