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EPC2361

Name: EPC EPC2361
Brand: EPC
SKU: 65-EPC2361
Price: 8.24 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

65-EPC2361

N° de fab. :

EPC2361

Fab. :

EPC

Description :

FET GaN EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

Cycle de vie:

Nouveau chez Mouser

Fiche technique:

EPC2361 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	EPC
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	QFN-7
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	80 V
Id - Courant continu de fuite:	133 A
Rds On - Résistance drain-source:	1 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	- 4 V, 6 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	2.5 V
Qg - Charge de grille:	28 nC
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	eGaN FET
Technologie:	GaN
Marque:	EPC
Configuration:	Single
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Produit:	Power Transistor
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Poids de l''unité:	35,200 mg

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Fiche technique

EPC2361 Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

EPC2361 eGaN® FET

EPC EPC2361 Enhancement-Mode Gallium Nitride Field-Effect Transistor (eGaN^® FET) is a 100V power transistor engineered for efficient power conversion. The device offers a typical 0.75mΩ on-resistance, high-current capability, ultra-low gate charge, and zero reverse-recovery charge. These characteristics support high switching frequencies and reduced power losses in demanding applications.

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-,-- €

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-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	8,24 €	8,24 €
	4,54 €	45,40 €
	4,18 €	418,00 €
	3,92 €	1 960,00 €
	3,59 €	3 590,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	3,35 €	10 050,00 €

EPC2361

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Fab. : EPC

Description : FET GaN EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

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EPC2361 eGaN® FET

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FET GaN EPC eGaN FET,80 V, 1.0 milliohm at 5 V, 3 mm x 5 mm QFN

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