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747-IXFT320N10T2 MOSFET

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Sélectionner	Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	RoHS	Modèle de ECAO	Technologie	Style de montage	Package/Boîte	Polarité du transistor	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Nom commercial	Conditionnement
	MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET IXFT320N10T2 IXYS 1: 22,45 € 945En stock 3 510Sur commande	Fab. Numéro de référence IXFT320N10T2 Référence Mouser 747-IXFT320N10T2	IXYS	MOSFET Trench T2 HiperFET Power MOSFET En savoir plus sur IXYS gen2 trench gate mosfets	Fiche technique	945En stock 3 510Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : IXFT320N10T2 Stock: 945 Expédition possible immédiatement Sur commande: 60 14/12/2026 attendu 1 650 23/12/2026 attendu 1 800 25/01/2027 attendu Délai usine : 22 Semaines	22,45 € 15,82 € 14,57 € 14,52 €	Min. : 1 Mult. : 1			Si	SMD/SMT	D3PAK-3 (TO-268-3)	N-Channel	1 Channel	100 V	320 A	3.5 mOhms	20 V	4 V	430 nC	- 55 C	+ 175 C	1 kW	Enhancement	HiPerFET	Tube
	MOSFET TO268 100V 320A N-CH TRENCH IXFT320N10T2-TRL IXYS 400: 14,52 € Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines	Fab. Numéro de référence IXFT320N10T2-TRL Référence Mouser 747-IXFT320N10T2-TRL	IXYS	MOSFET TO268 100V 320A N-CH TRENCH En savoir plus sur IXYS littelfuse trencht2 mosfets	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 22 Semaines	Bobine 14,52 €	Min. : 400 Mult. : 400 : 400			Si	SMD/SMT	D3PAK-3 (TO-268-3)		1 Channel	200 V	180 A	7.5 mOhms	20 V	2 V	154 nC			735 W	Enhancement	TrenchT2	Reel

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