BFU768F,115

Name: NXP BFU768F,115
Brand: NXP Semiconductors
SKU: 771-BFU768F115
Price: 1.46 EUR
Availability: InStock

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N° Mouser :

771-BFU768F115

N° de fab. :

BFU768F,115

Fab. :

NXP Semiconductors

Description :

Transistors bipolaires RF BFU768F

Cycle de vie:

Fin de vie:

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Fiche technique:

BFU768F,115 Fiche technique (PDF)

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Fabricant:	NXP
Catégorie du produit:	Transistors bipolaires RF
RoHS:
Série:	BFU768F
Type de transistor:	Bipolar Wideband
Technologie:	SiGe
Polarité du transistor:	NPN
Collecteur de courant continu/Gain hfe min de base:	155
Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max.:	2.8 V
Émetteur - Tension de base VEBO:	1 V
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Configuration:	Single
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SOT-343F-4
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Marque:	NXP Semiconductors
Courant CC max. du collecteur:	70 mA
Pd - Dissipation d’énergie :	220 mW
Type de produit:	RF Bipolar Transistors
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Raccourcis pour l'article N°:	934066851115
Poids de l''unité:	6,665 mg

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210075
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Malaisie
Pays d'origine de l'assemblage:: Chine
Pays de diffusion:: Pays-Bas

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

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BFU768F,115

Fab. : NXP Semiconductors

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