MHT2012NT1

NXP Semiconductors
771-MHT2012NT1
MHT2012NT1

Fab. :

Description :
Amplificateur RF RF LDMOS Integrated Power Amplifier, 2450 MHz, 12.5 W CW, 28 V

Cycle de vie:
Fin de vie:
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Fiche technique:
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NXP
Catégorie du produit: Amplificateur RF
RoHS:  
2.4 GHz to 2.5 GHz
28 V
75 mA
29.7 dB
Power Amplifiers
SMD/SMT
PQFN-24
Si
42.3 dBm
43 dBm
- 40 C
+ 150 C
MHT2012N
Reel
Cut Tape
Marque: NXP Semiconductors
Sensibles à l’humidité: Yes
Nombre de canaux: 2 Channel
Type de produit: RF Amplifier
Nombre de pièces de l'usine: 1000
Sous-catégorie: Wireless & RF Integrated Circuits
Fréquence de test: 2.45 GHz
Raccourcis pour l'article N°: 935361937528
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

EOL

Codes de conformité
CNHTS:
8542339000
CAHTS:
8542330000
USHTS:
8542330001
MXHTS:
8542330299
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:
Corée, République de
Pays de diffusion:
États-Unis
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Solutions RF-IF NXP

Les solutions RF-IF NXP répondent aux besoins des applications RF les plus exigeantes en permettant aux concepteurs de respecter les spécifications les plus strictes en termes de performance tout en gardant un compromis possible au niveau du rendement, de la puissance, de la solidité, de la constance et des niveaux d'intégration. La gamme RF-IF NXP couvre la majorité des systèmes de transmission et de communication, ce qui permet de trouver facilement une solution qui correspond aux exigences particulières des concepteurs. Les solutions RF-IF NXP comportent les blocs modulaires RF/IF de la série SA6xx qui sont idéaux pour une variété de produits RF portables. Disponibles en boîtiers à empreinte réduite, les solutions SA6xx économisent de l'espace sur la CCI tout en donnant de meilleures performances RF.
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