AS3008316-035nX0PTBY

Avalanche Technology
793-38316035NX0PTBY
AS3008316-035nX0PTBY

Fab. :

Description :
MRAM Avalanche Asynchronous Parallel interface P-SRAM 8Mb in 54TSOP package with x16 interface, 3V, -40 C to 105 C

Modèle de ECAO:
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Avalanche Technology
Catégorie du produit: MRAM
RoHS:  
TSOP-54
Parallel
8 Mbit
512 k x 16
16 bit
35 ns
2.7 V
3.6 V
12 mA
- 40 C
+ 105 C
AS3008316
Tray
Marque: Avalanche Technology
Sensibles à l’humidité: Yes
Style de montage: SMD/SMT
Type de produit: MRAM
Nombre de pièces de l'usine: 96
Nom commercial: STT-MRAM, MRAM
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Codes de conformité
USHTS:
8542320071
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Taïwan
Pays d'origine de l'assemblage:
Non disponible
Pays de diffusion:
Non disponible
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

Parallel P-SRAM Memory

Avalanche Technology Parallel Persistent SRAM Memory are Magneto-Resistive Random-Access Memory (MRAM) that offers a density range from 1Mbit to 32Mbit. The P-SRAM memory operates from 2.7V to 3.6V voltage range. The P-SRAM memory devices are available in small footprint 54-pin TSOP, 44-pin TSOP, and 48-Ball FBGA packages. These packages are compatible with similar low-power volatile and non-volatile products. The parallel persistent SRAM memory devices are offered with -40°C to 85°C industrial and -40°C to 105°C industrial plus operating temperature ranges.

Disponibilité

Stock:
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