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SemiQ Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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SemiQ Modules d'alimentation MOSFET SiC GEN3 1 200 V

08/11/2025

- With an isolated backplate, based on third-generation SiC technology, and tested at over 1400V.

SemiQ Dispositifs discrets MOSFET SiC GEN3 de 1 200 V

01/02/2025

- Developed to increase performance and cut switching losses in high-voltage applications.

SemiQ Diode GP3D050B170B SCHOTTKY SiC QSiC™ 1 700 V

08/26/2024

- Livrée dans un boîtier TO-247-2L conçu pour répondre aux exigences de taille et de puissance dans une variété d’applications.

SemiQ Modules pont complet MOSFET SiC 1200 V GCMX

03/21/2024

- Idéal pour les onduleurs photovoltaïques, les systèmes de stockage d’énergie et les convertisseurs CC-CC haute tension.

SemiQ Modules demi-pont MOSFET SiC 1200 V GCMX

03/21/2024

- Faibles pertes de commutation, faible résistance thermique jonction-boîtier et montage aisé et très robuste.

SemiQ GP2T020A120H 1200V SiC MOSFET

11/15/2023

- Offers reduced switching losses, higher efficiency, and increased power density.

SemiQ GCMS040B120S1-E1 1200V SiC COPACK Power Module

03/09/2023

- The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.

SemiQ GCMX040B120S1-E1 1200V SiC MOSFET Power Module

03/09/2023

- The module is simple to drive, very rugged, & easy to mount with high-speed switching SiC MOSFETs.

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STMicroelectronics STGI15C60S 3-Phase Inverter & IGBT SLLIMM

08/19/2026

- This device is ideal for motor drives operating up to 20kHz in hard-switching circuitry.

Diotec Semiconductor ESD9BL24P-AQ ESD Protection Diode

08/17/2026

- Features a low junction capacitance and low leakage current in a miniature case outline.

Diotec Semiconductor BAS40-06-AQ SMD Small Signal Schottky Diode

08/17/2026

- Offers a very high switching speed, low leakage current, and a low junction capacitance.

Diotec Semiconductor P6KE47CA-AQ Transient Voltage Suppressor Diode

08/14/2026

- Provide reliable protection against transient voltage spikes, ESD, and other overvoltage events.

Diotec Semiconductor ESD3B36WS-AQ ESD Protection Diode

08/14/2026

- Features high peak-pulse power and bidirectional clamping.

Diotec Semiconductor SKL12-AQ SMD Schottky Barrier Rectifier Diode

08/14/2026

- Features a low forward voltage drop in a low-profile package.

iDEAL Semiconductor iS20M028S1PQ Automotive SuperQ® Power MOSFET

08/12/2026

- Automotive 200V N-channel MOSFET with SuperQ technology and TO-220 packaging.

Nexperia Redresseurs de récupération DPAK 400 à 650 V

08/12/2026

- Redresseurs de récupération DPAK hyperrapides et ultra-rapides, pour la conversion d'énergie électrique sous haute tension.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA

08/11/2026

- Il permet des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et une exploitation de commutation ultra-rapide.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB

08/10/2026

- Conçu pour des applications de commutation à haute efficacité et à courant élevé.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG

08/10/2026

- Conçu pour garantir un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.

Texas Instruments Diodes de protection DES ESD2CANFD24W-Q1

08/04/2026

- Diodes de protection DES automobiles pour les réseaux CAN, CAN FD, CAN SIC et CAN XL.

onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

07/30/2026

- Présente une faible RDS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)

07/30/2026

- Conçus pour remplacer un seul dispositif et son réseau externe de polarisation de résistance.

ROHM Semiconductor MOSFET Super jonction (SJ) 600 V

07/21/2026

- Options de boîtier compact et à faible hauteur de profil qui offrent une excellente dissipation thermique.

IXYS Diode redresseuse polyvalente DK610S3RP 1 600 V

07/20/2026

- Économiseuse d'espace, idéale pour l'assemblage automatisé et bien adaptée aux applications de contrôle de phase CC.

IXYS Redresseur DK010S3ARP 1 000 V 10 A

07/20/2026

- Il est doté de jonctions passivées au verre pour une stabilité améliorée et est assemblé dans un boîtier DO-214AB.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07/08/2026

- Matériau à large bande interdite assurant une faible charge de grille et de sortie, une commutation rapide et un rendement amélioré.

Bourns Diodes TVS montées en surface CDDFN2

07/07/2026

- Protections DES, EFT et contre les surtensions pour les ports externes des dispositifs électronique, limitant les dommages critiques.

Semtech Diode TVS RCLAMP2891PQ

06/30/2026

- La diode TVS 1 ligne à ultra-faible capacité, 28 V, protège les lignes de signal haute vitesse contre les décharges électrostatiques (DES) et les décharges électriques excessives (EOS).

Diotec Semiconductor SI02C120SMA Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode

06/29/2026

- Offers a repetitive reverse voltage rating of 1200V and a forward current capability of 2A.

Littelfuse Réseaux de diodes TVS SPA

06/26/2026

- Réseaux de diodes TVS pour ESD, EFT et protection contre les surtensions sur les interfaces de données et d’alimentation.

Bourns Diodes TVS de qualité automobile CDSOD323-T24LC-Q

06/26/2026

- Diodes TVS bidirectionnelles de qualité automobile dans un boîtier SOD-323 compact.

Bourns Diodes TVS CDSOD323-TxxSC-Q

06/25/2026

- Proposent une sélection d'options de tensions de 3 V à 36 V dans une configuration bidirectionnelle.

Diodes Incorporated Diode TVS bidirectionnelle D3V3ZF1BD2CSP

06/22/2026

- Dispositif à faible capacité conçu spécifiquement pour protéger les lignes différentielles à haute vitesse.

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