MOSFET à canal N en silicium TKx

Les MOSFET à canal N en silicium TKx de Toshiba sont disponibles en versions U-MOSX-H et DTMOSVI et affichent des caractéristiques de performance exceptionnelles. Ces MOSFET sont conçus avec des temps de récupération inverse rapides qui améliorent l’efficacité dans des applications de commutation à haute vitesse en réduisant le délai entre les phases d’arrêt et d'enclenchement. La faible résistance à l'état passant drain-source [R_DS(on)] contribue à minimiser les pertes de puissance et à améliorer la gestion thermique, ce qui rend ces MOSFET particulièrement adaptés aux applications nécessitant la gestion de courants élevés avec une faible dissipation d'énergie.