MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 60 V

Les MOSFET de puissance 60 V OptiMOS™ 6 d'Infineon Technologies offrent des performances supérieures grâce à une technologie MOSFET de puissance robuste. Les MOSFET de puissance 60 V OptiMOS fournissent une RDS(on) inférieure de 37 % et des performances FOMQg x RDS(on) ~ 25 % supérieures à celles des OptiMOS 5. Les MOSFET de puissance OptiMOS 6 60 V d’Infineon offrent une efficacité et une densité de puissance système supérieures dans les topologies à commutation douce et les applications à basse fréquence.

Résultats: 14
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie
Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Nom commercial
Conditionnement
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
8 434En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 97 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
1 439En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 6 000

Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
4 768En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 6 000

Si SMD/SMT PG-TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
2 666En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 378 A 800 uOhms 20 V 2.3 V 68 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
3 773En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 143 A 2.5 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
3 264En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 149 A 2.3 mOhms 20 V 2.3 V 22 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
3 896En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 137 A 2.5 mOhms 20 V 3.3 V 32 nC - 55 C + 175 C 100 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
3 859En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TSDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 57 A 7.2 mOhms 20 V 3.3 V 12.3 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
3 786En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000
Si SMD/SMT PG-TDSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 62 A 6 mOhms 20 V 3.3 V 12.4 nC - 55 C + 175 C 50 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Fiche technique
4 073En stock
Min. : 1
Mult. : 1
Max. : 500
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power -Transistor, 60 V
Fiche technique
5 00022/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
5 00012/08/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
5 00015/10/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 5 000

Si SMD/SMT PG-TTFN-9 N-Channel 1 Channel 60 V 178 mA 2.2 mOhms - 20 V, 20 V 3.3 V 56 nC - 55 C + 175 C 125 mW Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 6 Power Transistor, 60 V
Fiche technique
4 00010/12/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 4 000

Si SMD/SMT PG-WSON-8 N-Channel 1 Channel 60 V 344 A 900 uOhms 20 V 3.3 V 121 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement Reel, Cut Tape