MOSFET SiC G2 1 400 V CoolSiC™

Les MOSFET G2 CoolSiC™ 1 400 V en carbure de silicium (SiC) d’Infineon Technologies sont proposés dans un boîtier à refusion TO-247PLUS-4. Ces Infineon MOSFET sont idéaux pour les applications à puissance de sortie élevée telles que la recharge des véhicules électriques (VE), les systèmes de stockage d’énergie par batterie (BESS), les véhicules commerciaux/de chantier/agricoles (CAV), etc. La technologie CoolSiC™ MOSFET G2 1 400 V est une technologie de pointe offrant des performances thermiques améliorées, une densité de puissance accrue et une fiabilité améliorée. Le boîtier comporte une capacité de refusion (3 soudures par refusion possibles), permettant une résistance thermique plus faible.

Résultats: 11
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package 550En stock
34,76 €
25,12 €
Min. : 1
Mult. : 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE 224En stock
29,35 €
23,50 €
20,32 €
19,24 €
Min. : 1
Mult. : 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC MOSFET discrete 1400 V G2 in TO-247PLUS-4 Reflow package 307En stock
18,30 €
13,67 €
11,82 €
11,19 €
Min. : 1
Mult. : 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE 230En stock
16,40 €
12,50 €
10,41 €
9,28 €
8,67 €
Min. : 1
Mult. : 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE 399En stock
13,65 €
7,73 €
6,88 €
Min. : 1
Mult. : 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 : Silicon Carbide MOSFET 238En stock
Bande coupée
26,77 €
21,43 €
18,53 €
Bobine
18,53 €
17,54 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 240
Through Hole PG-TO247-4 1 Channel 1.4 kV 147 A 31.3 Ohms - 10 V to 25 V 4.2 V 130 nC - 55 C + 175 C 568 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 349En stock
16,33 €
9,43 €
8,67 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 92 A 53.8 mOhms - 10 V, + 23 V 4.2 V 78 nC - 55 C + 175 C 380 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 342En stock
13,06 €
9,95 €
8,29 €
7,38 €
6,90 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 65 A 35 mOhms - 10 V, + 25 V 4.2 V 54 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET SIC DISCRETE 5En stock
48028/01/2027 attendu
50,22 €
42,84 €
35,34 €
Min. : 1
Mult. : 1
CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 94En stock
240Sur commande
14,96 €
11,40 €
9,50 €
8,46 €
7,90 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 74 A 67.6 Ohms - 10 V, + 25 V 5.1 V 62 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies SiC MOSFET CoolSiC 1400 V SiC MOSFET G2 with .XT interconnection technology 21En stock
1 44021/10/2027 attendu
11,40 €
8,50 €
7,09 €
5,51 €
Min. : 1
Mult. : 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.4 kV 52 A 38 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 41 nC - 55 C + 175 C 242 W Enhancement CoolSiC