π-MOS VIII MOSFETs

Toshiba π-MOS VIII MOSFETs are 10V gate drive single N-channel devices based on the Toshiba eighth-generation planar semiconductor process, which combines high levels of cell integration with optimized cell design. The technology supports reduced gate charge and capacitance compared to prior generations without losing the benefits of low RDS(ON). Available with 800V and 900V ratings, these MOSFETs target applications such as flyback converters in LED lighting, supplementary power supplies, and other circuits that require current switching below 5.0A. These devices are offered in a standard TO-220 through-hole form factor and a surface-mounted DPAK package.

Résultats: 11
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Style de montage Package/Boîte Polarité du transistor Nombre de canaux Vds - Tension de rupture drain-source Id - Courant continu de fuite Rds On - Résistance drain-source Vgs - Tension grille-source Vgs th - Tension de seuil grille-source Qg - Charge de grille Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Pd - Dissipation d’énergie Mode canal Nom commercial Conditionnement
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPAK(OS) MOQ=2000 PD=80W F=1MHZ 3 112En stock
Bande coupée
1,32 €
0,619 €
0,551 €
0,432 €
Bobine
0,409 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 3 A 4.9 Ohms 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET TO252 900V 2A N-CH MOSFET 4 015En stock
Bande coupée
1,80 €
0,859 €
0,767 €
0,607 €
Bobine
0,503 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 000
Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 900 V 2 A 5.9 Ohms 30 V 2.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 80 W Enhancement MOSVIII Reel, Cut Tape, MouseReel
Toshiba MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-3PN 2 496En stock
3,37 €
1,92 €
1,52 €
1,39 €
1,02 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-3P N-Channel 1 Channel 900 V 9 A 1.3 Ohms 30 V 2.5 V 46 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-220SIS 153En stock
2,44 €
1,20 €
1,12 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220FP-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 700 mOhms 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET PLN MOS 800V 1000m (VGS=10V) TO-3PN 4En stock
12515/02/2027 attendu
3,79 €
1,77 €
1,57 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 800 V 10 A 700 mOhms 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ 250En stock
1,38 €
0,654 €
0,653 €
0,511 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 2.5 A 4.6 Ohms 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET X33 Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-220SIS PD=35W F=1MHZ 265En stock
1,41 €
0,665 €
0,664 €
0,511 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 4 A 3.5 Ohms 30 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 35 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET PLN MOS 800V 1700m (VGS=10V) TO-220SIS 158En stock
2,03 €
0,989 €
0,98 €
0,86 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 1.35 Ohms 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-220SIS 170En stock
1,89 €
0,92 €
0,912 €
0,787 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 1.6 Ohms 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement MOSVIII Tube
Toshiba MOSFET PLN MOS 900V 2000m (VGS=10V) TO-3PN 98En stock
3,04 €
1,52 €
1,39 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-3PN-3 N-Channel 1 Channel 900 V 7 A 1.6 Ohms 30 V 4 V 32 nC - 55 C + 150 C 200 W Enhancement MOSVIII Tray
Toshiba MOSFET PLN MOS 900V 1300m (VGS=10V) TO-220SIS 5En stock
55015/01/2027 attendu
2,76 €
1,35 €
1,20 €
1,02 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 900 V 9 A 1 Ohms 30 V 4 V 46 nC - 55 C + 150 C 50 W Enhancement MOSVIII Tube