SiC MOSFET – Mouser France

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.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

Sélectionner	Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	RoHS	Modèle de ECAO	Style de montage	Package/Boîte	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Nom commercial
	SiC MOSFET SIC_DISCRETE AIMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies 1: 18,89 € 710En stock NRND	Fab. Numéro de référence AIMW120R045M1XKSA1 Référence Mouser 726-AIMW120R045M1XKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SIC_DISCRETE En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 1200v automotive coolsic modules	Fiche technique	710En stock	18,89 € 14,04 €	Min. : 1 Mult. : 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	52 A	59 mOhms	- 7 V, + 20 V	5.7 V	57 nC	- 55 C	+ 175 C	228 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMW65R027M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 12,57 € 1 701En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMW65R027M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW65R027M1HXKSA NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	1 701En stock	12,57 € 7,56 € 7,46 €	Min. : 1 Mult. : 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	47 A	34 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	62 nC	- 55 C	+ 150 C	189 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R048M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 8,95 € 298En stock NRND	Fab. Numéro de référence IMZA65R048M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZA65R048M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	298En stock	8,95 € 5,15 € 4,77 €	Min. : 1 Mult. : 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	39 A	64 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	33 nC	- 55 C	+ 150 C	125 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package IMBF170R1K0M1XTMA1 Infineon Technologies 1: 5,20 € 24 945Sur commande	Fab. Numéro de référence IMBF170R1K0M1XTMA1 Référence Mouser 726-IMBF170R1K0M1XTM	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package En savoir plus sur Infineon Technologies infineon 1700v sic mosfets	Fiche technique	24 945Sur commande Dates d'expédition sur commande N° de fab. : IMBF170R1K0M1XTMA1 Stock: 0 Sur commande: 1 945 07/01/2027 attendu 23 000 À déterminer Délai usine : 53 Semaines	Bande coupée 5,20 € 3,41 € 2,55 € 2,13 € Bobine 1,85 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 000			SMD/SMT	TO-263-7	1 Channel	1.7 kV	5.2 A	1 Ohms	- 10 V, + 20 V	4.5 V	5 nC	- 55 C	+ 175 C	68 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 15,94 € 2 160Sur commande NRND	Fab. Numéro de référence IMZ120R030M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZ120R030M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-4 package	Fiche technique	2 160Sur commande	15,94 € 12,14 € 10,12 € 9,01 € 8,42 €	Min. : 1 Mult. : 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	56 A	40 mOhms	- 7 V, + 23 V	5.7 V	63 nC	- 55 C	+ 150 C	227 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,12 € 978Sur commande NRND	Fab. Numéro de référence IMW120R140M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMW120R140M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET CoolSiC 1200V SiC Trench MOSFET in TO247-3 package	Fiche technique	978Sur commande	7,12 € 4,39 € 4,06 € 3,23 €	Min. : 1 Mult. : 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	19 A	182 mOhms	- 7 V, + 23 V	3.5 V	13 nC	- 55 C	+ 175 C	94 W	Enhancement	CoolSiC
	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET IMZA65R072M1HXKSA1 Infineon Technologies 1: 7,53 € Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines NRND	Fab. Numéro de référence IMZA65R072M1HXKSA1 Référence Mouser 726-IMZA65R072M1HXKS NRND	Infineon Technologies	SiC MOSFET SILICON CARBIDE MOSFET En savoir plus sur Infineon Technologies infineon coolsic mosfets 650v	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines	7,53 € 4,43 € 3,67 € 3,66 €	Min. : 1 Mult. : 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	28 A	94 mOhms	- 5 V, + 23 V	5.7 V	22 nC	- 55 C	+ 150 C	96 W	Enhancement	CoolSiC