MOSFET au carbure de silicium (SiC)

Les MOSFET  au carbure de silicium (SiC) de Microchip Technology offrent des performances dynamiques et thermiques supérieures à celles des MOSFET de puissance au silicium (Si) conventionnels.  Ces MOSFET ont de faibles capacités, une faible charge de grille, une vitesse de commutation rapide et une bonne robustesse en avalanche. Les MOSFET SiC peuvent stabiliser le fonctionnement à une température de jonction élevée de 175 °C. Ces MOSFET offrent un haut rendement avec de faibles pertes de commutation. Les MOSFET SiC ne nécessitent pas de diodes de roue libre. Les applications standard incluent la transmission et la distribution de réseaux intelligents, le chauffage et la soudure par induction, ainsi que l’alimentation et la distribution.