IGBT à tranchée et arrêt de champ 75 A 650 V RGSX5TS65

Les IGBT à tranchée et arrêt de champ 75 A 650 V RGSX5TS65 de ROHM Semiconductor disposent d'une faible tension de saturation collecteur-émetteur. Le RGSX5TS65 dispose d'un temps de tenue aux courts-circuits de 8 μs. Il est qualifié AEC-Q101 et dispose d'un placage de fil sans Pb.

Résultats: 4
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Package/Boîte Style de montage Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Tension de l'émetteur de porte max. Courant collecteur continu de 25 C Pd - Dissipation d’énergie Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Conditionnement
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, Automotive Field Stop Trench IGBT 427En stock
8,85 €
5,23 €
4,43 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT
450En stock
10,31 €
6,17 €
5,31 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT 438En stock
9,49 €
5,64 €
4,80 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 8s Short-Circuit Tolerance, 650V 75A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT
400En stock
10,91 €
6,56 €
5,76 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247N-3 Through Hole Single 650 V 2.15 V 30 V 114 A 404 W - 40 C + 175 C Tube