NVHL060N065SC1

onsemi
863-NVHL060N065SC1
NVHL060N065SC1

Fab. :

Description :
SiC MOSFET SIC MOS TO247-3L 650V

Fiche technique:
Modèle de ECAO:
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onsemi
Catégorie du produit: SiC MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Through Hole
TO-247-3
1 Channel
650 V
47 A
44 mOhms
- 8 V, + 22 V
4.3 V
74 nC
- 55 C
+ 175 C
176 W
Enhancement
EliteSiC
Marque: onsemi
Configuration: Single
Temps de descente: 8 ns
Transconductance directe - min.: 2 S
Conditionnement: Tube
Type de produit: SiC MOSFETS
Temps de montée: 32 ns
Série: NVHL060N065SC1
Nombre de pièces de l'usine: 30
Sous-catégorie: Transistors
Polarité du transistor: N-Channel
Délai de désactivation type: 23 ns
Délai d'activation standard: 12 ns
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Attributs sélectionnés: 0

Fiche technique

PCN

Codes de conformité
TARIC:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
Classifications d’origine
Pays d'origine:
Chine
Pays d'origine de l'assemblage:
Chine
Pays de diffusion:
Corée, République de
Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

MOSFET EliteSiC M2

Les MOSFET EliteSiC M2 d'onsemi sont disponibles pour des tensions de 650 V, 750 V et 1 200 V. Les MOSFET M2 d'onsemi sont proposés dans différents boîtiers, notamment D2PAK7, H-PSOF8L, TDFN4 8x8, TO-247-3LD et TO-247-4LD. Les MOSFET offrent une flexibilité de conception et de mise en œuvre. De plus, les MOSFET EliteSic M2 disposent d’une tension grille-source maximale de +22 V/-8 V, d’une faible RDS(on) et d’un temps de résistance aux courts-circuits (SCWT) élevé.

MOSFET EliteSiC NVHL060N065SC1

Le MOSFET EliteSiC NVHL060N065SC1 d'onsemi est un MOSFET monocanal N 650 V, 60 mΩ (std) et 47 A doté d'une conception compacte et efficace pour de hautes performances thermiques. Ce MOSFET utilise une technologie totalement nouvelle qui offre des performances de commutation supérieures et une haute fiabilité par rapport au silicium. Par ailleurs, la faible résistance à l’état passant et la taille compacte de la puce assurent une capacité et une charge de grille faibles. Le MOSFET de puissance NVHL060N065SC1 offre un haut rendement, une fréquence de fonctionnement plus rapide, une densité de puissance accrue, une réduction des EMI et une taille de système réduite.  Ce MOSFET est certifié AEC-Q101 et compatible PPAP. Les applications standard comprennent les chargeurs embarqués automobiles et les convertisseurs CC-CC automobiles pour véhicules électriques (EV).

En stock: 445

Stock:
445 Expédition possible immédiatement
Délai usine :
44 Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.
Long délai signalé sur ce produit.
Minimum : 1   Multiples : 1
Prix unitaire:
-,-- €
Ext. Prix:
-,-- €
Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté. Prix unitaire
Ext. Prix
14,33 € 14,33 €
8,32 € 83,20 €
8,16 € 979,20 €

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