Tranchée IGBT à arrêt de champ 650 V RGTV

La tranchée IGBT à arrêt de champ 650 V RGTV de ROHM Semiconductor offrent une faible tension de saturation collecteur-émetteur dans un petit boîtier. Les IGBT RGTV disposent d’une commutation à haute vitesse, d’une faible perte de commutation et d’un temps de tenue aux courts-circuits de 2μs. Les tranchées IGBT à arrêt de champ 650 V RGTV de ROHM sont idéales pour les applications d’onduleurs solaires, d'ASI, de soudage, d'IH et de PFC.

Résultats: 7
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Technologie Package/Boîte Style de montage Configuration Collecteur - Tension de l'émetteur VCEO max. Tension de saturation collecteur-émetteur Tension de l'émetteur de porte max. Courant collecteur continu de 25 C Pd - Dissipation d’énergie Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Conditionnement
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT 451En stock
7,96 €
5,44 €
4,47 €
4,39 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT 449En stock
6,89 €
4,67 €
3,37 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, 2 s Short-Circuit Tolerance, 650V 60A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 429En stock
7,14 €
4,14 €
3,48 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-247-3 Through Hole Single 650 V 1.5 V - 30 V, 30 V 111 A 319 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 30A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT 846En stock
5,98 €
3,41 €
2,81 €
2,61 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 33 A 76 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, 2 s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT 433En stock
7,44 €
4,33 €
3,65 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs 650V 50A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT 399En stock
6,69 €
3,86 €
3,24 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 45 A 94 W - 40 C + 175 C Tube
ROHM Semiconductor IGBTs Discrete Semiconductors, IGBT, 2 s Short-Circuit Tolerance, 650V 23A, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT 450En stock
3,20 €
2,79 €
Min. : 1
Mult. : 1
Si TO-3PFM-3 Through Hole Single 650 V 1.9 V 30 V 39 A 85 W - 40 C + 175 C Tube