Passer au contenu principal

Membre du groupe de spécialistes TTIContacter Mouser (Brive) +33 5 55 85 79 96Commentaires

Changer de pays

+33 5 55 85 79 96 Changer de pays

En stock

RoHS

Il semble que vous ayez désactivé JavaScript dans votre navigateur. Certaines fonctions sur cette page ne fonctionneront pas à moins que vous vous connectiez.

Retourner aux résultats de la recherche

Vous voyez une erreur ?

IS61WV102416DALL-10TLI-TR

ISSI

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

870-61WV12416DAL1TLR

N° de fab. :

IS61WV102416DALL-10TLI-TR

Fab. :

ISSI

Description :

SRAM 16M (1Mx16) 10ns Async SRAM 3.3V

Cycle de vie:

NRND:

Non recommandé pour de nouvelles conceptions.

Fiche technique:

IS61WV102416DALL-10TLI-TR Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	ISSI
Catégorie du produit:	SRAM
Taille de la mémoire:	16 Mbit
Organisation:	1 M x 16
Temps d'accès:	10 ns
Type d'interface:	Parallel
Tension d’alimentation - Max.:	2.2 V
Tension d’alimentation - Min.:	1.65 V
Courant d’alimentation maximal:	90 mA
Température de fonctionnement min.:	- 40 C
Température de fonctionnement max.:	+ 85 C
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	TSOP-48
Conditionnement:	Reel
Marque:	ISSI
Type de mémoire:	SRAM
Sensibles à l’humidité:	Yes
Type de produit:	SRAM
Série:	IS61WV102416DALL
Nombre de pièces de l'usine:	1500
Sous-catégorie:	Memory & Data Storage
Nom commercial:	PowerSaver
Type:	Asynchronous

Produits trouvés:

Pour consulter des produits similaires, sélectionnez au moins une case.

Sélectionnez au moins une case pour consulter des produits similaires dans cette catégorie.

Attributs sélectionnés: 0

Filtrer les documents:

Fiche technique

IS61WV102416DALL-10TLI-TR Fiche technique (PDF)

Codes de conformité

CNHTS:: 8542320000
CAHTS:: 8542320030
USHTS:: 8542320041
JPHTS:: 854232029
MXHTS:: 8542320299
ECCN:: 3A991.b.2.a

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Non disponible
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ISSI

Serial RAM Devices

Contain 8Mb/16Mb/32Mb pseudo-static Random Access Memory (RAM) using a self-refresh DRAM array.

QuadRAM Devices

Contain 8Mb/16Mb/32Mb pseudo-static Random Access Memory (RAM) using a self-refresh DRAM array.

Microcontrôleurs de croisement RT1060 i.MX

Ces composants font partie de la plateforme d'edge computing EdgeVerse™ et étendent la série RT i.MX.

IS62WVS Serial SRAMs

Fabricated using high-performance CMOS technology to offer 20MHz clock rate and 4µA standby current.

Pseudo SRAM/CellularRAM

High-speed, CMOS Pseudo-RAM developed for low-power, portable applications.

Disponibilité

Stock:: Non stocké

Une erreur inattendue est survenue. Veuillez réessayer ultérieurement.
Délai usine :: Demander un devis de livraison

Entrez la quantité:

Minimum : 1500 Multiples : 1500

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Ce produit est expédié GRATUITEMENT

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 1500)
	17,42 €	26 130,00 €