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MAPC-A3010-ABSB1

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N° Mouser :

937-MAPC-A3010-ABSB1

N° de fab. :

MAPC-A3010-ABSB1

Fab. :

MACOM

Description :

Outils de développement RF Application & Test Fixture,MAPC-A3010-AB

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

MAPC-A3010-ABSB1 Fiche technique (PDF)

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	Outils de développement RF
Restrictions de livraison:	Mouser ne vend pas actuellement ce produit dans votre région.
RoHS:
Produit:	Add-On Boards
Type:	RF Transistor
L'outil sert à l'évaluation de:	MAPC-A3010-AB
Fréquence:	0 Hz to 4 GHz
Marque:	MACOM
Type de produit:	RF Development Tools
Nombre de pièces de l'usine:	1
Sous-catégorie:	Development Tools

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Fiche technique

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Codes de conformité

TARIC:: 9030820000
CAHTS:: 9030820000
USHTS:: 9030820000
KRHTS:: 9030820000
MXHTS:: 9030820100
ECCN:: 3A001.b.3.a.4

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

GaN on SiC Transistors

MACOM GaN on SiC Transistors are next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power in the same compact footprint. These transistors feature 28V operating voltage, up to 8GHz frequency, high efficiency, and high breakdown voltage. The GaN on SiC transistors support high power, gain, and efficiency, while keeping the same footprint, versus previous generations. These transistors are 100% pass-biased JEDEC HAST (JESD22-A110E) and pass-Highly Accelerated Temperature and Humidity Stress Test (HAST). The GaN on SiC transistors are ideal for 2-way private radio, broadband amplifiers, cellular infrastructure, test instrumentation, and general amplification.