Les plus récent(e)s Semi-conducteurs

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Types de Semi-conducteurs

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Qorvo Amplificateur pilote 6 GHz à 18 GHz QPA0023

05/22/2026

- Amplificateur pilote haute performance fabriqué avec un procédé de production pHEMT de 0,15 µm.

Qorvo HEMT Gan/Sic de 300 W QPD2560L

03/09/2026

- Conçu pour des applications exigeantes en bande L, fonctionnant dans la gamme de fréquences de 1,0 GHz à 1,5 GHz.

Qorvo CI d'amplificateur RF CATV QPL1842

03/09/2026

- Offre un gain de 25 dB et une performance à faible bruit sur la plage de fréquences de 5 MHz à 850 MHz.

Qorvo Amplificateur de pilote de 0,5 W à bande X QPA0813

03/09/2026

- Conçu pour des applications nécessitant une alimentation électrique efficace et un facteur de forme compact.

Qorvo Amplificateur de pré-pilote à haute linéarité QPA9862

03/09/2026

- Conçu pour répondre aux exigences de performance élevées des infrastructures sans fil modernes.

Qorvo Amplificateur pilote GaN de 2,0 GHz à 6,0 GHz QPA2597

03/06/2026

- Il délivre une puissance de sortie de 32 dBm, un gain de 24 dB pour les petits signaux et une efficacité en puissance ajoutée de 37 %.

Qorvo Carte de développement RF QPC7331PCBA-410

02/02/2026

- Conçue pour simplifier les tests et l’intégration de l’égaliseur de pente de câble variable QPC7331.

Qorvo Commutateurs SPDT à large bande RFSW1012

01/26/2026

- Conçu pour les applications exigeant une très faible perte d’insertion et des performances robustes en matière de gestion de puissance.

Qorvo Carte d'évaluation QPD1011AEVB

01/20/2026

- Conçue spécifiquement pour accélérer la caractérisation des dispositifs et le prototypage des amplificateurs dans la bande de 100 MHz à 1 GHz.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d’entrée QPD1014A

01/20/2026

- Transistors discrets HEMT GaN sur SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 15 W (P 3dB), et fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Carte d'évaluation QPD1014AEVB

01/20/2026

- Conçue spécifiquement pour accélérer la caractérisation des dispositifs et le prototypage des amplificateurs dans la bande de 100 MHz à 1 GHz.

Qorvo Transistors GaN avec adaptation d'entrée QPD1011A

01/19/2026

- Transistor HEMT discret technologie GaN-sur-SiC avec adaptation d’entrée 50 Ω, 7 W (P3 dB), fonctionnant de 30 MHz à 1,2 GHz.

Qorvo Transistors au GaN avec adaptation d'entrée QPD1004A

01/19/2026

- Le transistor discret au nitrure de gallium sur carbure de silicium à haute mobilité d'éléctrons (HEMT GaN sur SiC), 25 W, avec adaptation d'entrée 50 Ω, fonctionne de 30 MHz à 1 400 MHz sur un rail d’alimentation de 50 V.

Qorvo Carte d'évaluation QPD1004AEVB

01/19/2026

- Conçue spécifiquement pour accélérer la caractérisation des dispositifs et le prototypage des amplificateurs dans la bande de 100 MHz à 1 GHz.

Qorvo Égaliseurs de pente de câble variable QPC7331

01/15/2026

- Conçus pour compenser la perte de câble liée à la fréquence dans les réseaux à large bande.

Qorvo Kit d'évaluation ACT88911EVK1-101

01/15/2026

- Conçu pour démontrer et évaluer les performances du circuit intégré de gestion d'alimentation (PMU) ACT88911-101.

Qorvo CI de gestion de l'alimentation intégrés ACT88911 ActiveCiPS™

01/15/2026

- Prend en charge une large gamme de processeurs, y compris les processeurs vidéo, les FPGA, les périphériques et les microcontrôleurs (MCU).

Qorvo Amplificateurs de puissance en bande K QPA1722

01/15/2026

- Conçus pour améliorer les performances et l'intégration des satellites en orbite terrestre basse (LEO).

Qorvo Carte d'évaluation GSM 900 MHz QPA9510EVB

10/28/2025

- Plateforme de test entièrement assemblée conçue pour présenter les performances de l' amplificateur de puissance QPA9510.

Qorvo Amplificateurs de puissance QPA9510 à usage général/GSM

10/28/2025

- Les amplificateurs de puissance haute performance sont optimisés pour les applications de 100 MHz à 1000 MHz.

Qorvo Kit de développement ultra large bande QM33120WDK2

10/06/2025

- Un kit tout-en-un prêt à l'emploi pour le développement et les démonstrations de produits UWB.

Qorvo CI amplificateur RF MMIC asymétriques QPL1840

10/06/2025

- Dotés d'un gain de 17 dB et d'un faible bruit de 5 MHz à 1 800 MHz.

Qorvo CI amplificateur RF MMIC asymétriques QPL1841

10/06/2025

- Dotés d'un gain de 12,5 dB et d'un faible bruit de 5 MHz à 850 MHz.

Qorvo Module doubleur de puissance hybride haute puissance QPA3311

09/16/2025

- Utilise une puce GaAs/GaN et fonctionne de 45 MHz à 1 794 MHz avec un gain de 23 dB.

Qorvo Kit de développement Linux® QM35825DK-05

08/29/2025

- Permet à l'utilisateur de découvrir le monde de la bande ultralarge, principalement ses capacités de télémétrie et de radar.

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STMicroelectronics LSM6DSK320X 6-Axis Inertial Measurement Unit (IMU)

09/03/2026

- A compact, low-power, high-performance 6-axis inertial measurement unit (IMU).

Infineon Technologies 65W USB-C™ Power Delivery Reference Designs

09/03/2026

- These reference designs were developed for a USB-PD charger or a notebook USB-PD adapter.

STMicroelectronics ISM6HGK256X Intelligent IMU

09/03/2026

- A high-end, low-noise, low-power 6-axis intelligent inertial measurement unit (IMU).

NXP Semiconductors NAFE33352-UIOM AIO AFE Arduino® Shield Eval Board

09/03/2026

- Designed for the NAFE33352 industrial-grade universal analog input and output front-end (AFE).

IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 55 mΩ et 48,3 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 21 mΩ et 102 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH150N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 13,5 mΩ et 147 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 35 mΩ et 67 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH110N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 18 mΩ et 112 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

NXP Semiconductors Kit d'évaluation KITVR249AEEVM

09/01/2026

- Kit d'évaluation soudé pour la configuration, le test et la programmation des PMIC VR249 pour la sécurité industrielle.

NXP Semiconductors Circuits intégrés de gestion de l'alimentation (PMIC) pour la sécurité industrielle VR249

09/01/2026

- PMIC haute tension pour la sécurité industrielle avec prise en charge de SIL 2 pour les microcontrôleurs faible puissance.

Microchip Technology HV-D3 mSiC® Power Modules

09/01/2026

- Simplifies and accelerates adoption of SSTs in data centers & other high-voltage power applications.

Texas Instruments Kit de démarrage du processeur SK-TDA4VM pour la vision IA de bord

09/01/2026

- Conçu pour donner vie aux robots, aux caméras et aux machines intelligentes, il offre un processus d'installation rapide.

NXP Semiconductors Kit d'évaluation KITVR249SKTEVM

09/01/2026

- Kit d'évaluation à socket pour la configuration, le test et la programmation des PMIC de sécurité industrielle VR249.

Espressif Systems ESP32-P4 System-on-Chip (SoC)

09/01/2026

- High-performance RISC-V SoC with integrated media processing, HMI, and security capabilities.

Infineon Technologies Cartes d'évaluation PROFET™ pour commutateurs intelligents haute tension

08/31/2026

- Ces cartes sont conçues pour évaluer les commutateurs coté-haut intelligents PROFET™.

Infineon Technologies Capteurs de position magnétique XENSIV™ TLE49901/TLI49901

08/27/2026

- Capteurs à effet Hall linéaires ratiométriques analogiques pour la mesure du déplacement, de la linéarité et de l'angle.

IXYS SCR sensibles SK002xSx

08/27/2026

- SCR sensibles avec prise en charge de l'entraînement par microprocesseur et une haute immunité au bruit.

STMicroelectronics Pilote de thyristors isolé STEVAL-SID140V1

08/26/2026

- Carte pilote de thyristors isolé pour l’évaluation de relais statiques CA.

STMicroelectronics Kit de découverte STM32H5F5J-DK

08/26/2026

- Kit de découverte pour le développement du microcontrôleur (MCU) STM32H5F5LJ avec LCD, Ethernet et STLINK-V3EC.

STMicroelectronics Carte d'évaluation STEVAL-0608Y1V8

08/26/2026

- Carte d'évaluation pour la conversion CC/CC automobile abaisseuse 1,8 V/8 A.

Infineon Technologies Commandes de grilles EiceDRIVER™ 2EDL90xG3

08/25/2026

- Conçus pour permettre des conceptions de puissance en nitrure de gallium (GaN) et en silicium (Si) sur le même PCB.

Apex Microtechnology PA169 Dual High Voltage Operational Amplifiers

08/25/2026

- Houses two independent 200V, 4A peak operational amplifier (PA167) circuits.

Apex Microtechnology PA168 High Voltage Power Operational Amplifiers

08/25/2026

- Feature a monolithic amplifier core designed for high-density power applications.

STMicroelectronics Capteurs d'image CMOS 5,1 MP

08/25/2026

- Capteurs d'image CMOS RVB-NIR et monochromes 5,1 MP avec exploitation de l'obturateur hybride.

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