Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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onsemi MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X

09/17/2026

- MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.

onsemi Diode de protection DES ESDM1021

09/14/2026

- Diode DES bidirectionnelle compacte de 2 V pour la protection des broches GPIO et des lignes d’alimentation basse tension.

onsemi MOSFET de puissance à canal N simple 80 V

08/25/2026

- Offrent une faible RDS(on), pour réduire les pertes par conduction, pour une faible QG et pour une capacité à réduire les pertes de pilotes.

onsemi MOSFET SiC NXH011F120M3F2

08/25/2026

- Modules MOSFET EliteSiC en pont complet avec une résistance à l'état passant de 11 mΩ et une tension nominale de 1200 V.

onsemi Transistors numériques EMD4DXV6 (BRT)

07/30/2026

- Conçus pour remplacer un seul dispositif et son réseau externe de polarisation de résistance.

onsemi MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

07/30/2026

- Présente une faible RDS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

onsemi FET GaN GaNEXUS™

07/08/2026

- Matériau à large bande interdite assurant une faible charge de grille et de sortie, une commutation rapide et un rendement amélioré.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

04/14/2026

- Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04/06/2026

- MOSFET à canal N double conçu avec une faible Rg pour les applications à commutation rapide.

onsemi MOSFET de puissance à double canal N NVMFD5873NL

03/13/2026

- Conçus pour des conceptions compactes et efficaces, y compris des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET de puissance à canal N 80 V NVBYST0D6N08X

12/26/2025

- Ce dispositif offre un faible QRR et une diode de corps à récupération progressive dans un boîtier TCPAK1012 (TopCool).

onsemi MOSFET N voies double NVMFD5877NL

12/19/2025

- Conçu pour des conceptions compactes et efficaces, incluant des performances thermiques élevées.

onsemi MOSFET NxT2023N065M3S EliteSiC

12/04/2025

- Présentent une faible capacité de sortie effective et une charge de grille ultra-faible.

onsemi MOSFET à petit signal FDC642P-F085

11/25/2025

- Doté d’une technologie à tranchées haute performance pour une RDS(on) extrêmement faible et d’une vitesse de commutation rapide.

onsemi MOSFET à canal P basse/moyenne tension NTTFS007P02P8

11/25/2025

- Conçu avec la technologie PowerTrench pour des performances de commutation avec une RDS(on) extrêmement faible et une grande robustesse.

onsemi MOSFET à canal N unique NVD6824NL

11/20/2025

- Affichent une RDS(on) faible pour minimiser les pertes de conduction et supportent des courants élevés.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVD5867NL

11/20/2025

- Il présente une tension drain-source de 60 V et une résistance drain-source de 39 mΩ et est homologué AEC-Q101.

onsemi IGBT AFGB30T65RQDN

11/19/2025

- Offre un coefficient de mérite élevé avec de faibles pertes de conduction et de commutation.

onsemi Diodes de protection Zener NZ8P

11/19/2025

- Conçues pour protéger les composants électroniques sensibles contre les événements de tension transitoire et de DES.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5830NL

11/19/2025

- MOSFET de puissance à canal N unique haute efficacité conçu pour des applications exigeantes de gestion de l'alimentation.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVMFS5832NL

11/19/2025

- MOSFET à hautes performances conçu pour les applications à basse tension nécessitant une commutation d’énergie efficace.

onsemi MOSFET de puissance à canal N unique NVMFWS0D4N04XM

11/16/2025

- Disponible dans un boîtier SO8-FL de 5 mm x 6 mm avec une conception compacte et qualifié AEC-Q101.

onsemi MOSFET de puissance monocanal N NVNJWS200N031L

10/14/2025

- Le dispositif présente une faible résistance RDS(on) et un faible seuil de tension de grille, et est disponible avec un flanc mouillable.

onsemi MOSFET de puissance monocanal P NTK3139P

10/14/2025

- Il est livré dans un boîtier avec une empreinte réduite de 44 % et est 38 % plus fin qu'un boîtier SC-89.

onsemi IGBT à coupure de champ à canal N VII AFGH4L60T120RWx-STD

10/13/2025

- Le dispositif offre de bonnes performances, avec une faible tension à l'état passant et de faibles pertes de commutation.

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Qorvo Transistor GaN à entrée adaptée QPD1000A

10/14/2026

- HEMT discret GaN‑on‑SiC, entrée 50Ω, adapté à une impédance d’entrée de 50 Ω, fonctionnement de 30 MHz à 1 215 MHz sur un rail d’alimentation de 28 V.

Qorvo Transistor de puissance RF au GaN QPD2562L

10/06/2026

- Un HEMT GaN-sur-SiC discret de 200 W à 300 W qui fonctionne de 2,5 GHz à 2,9 GHz et de 2,9 GHz à 3,3 GHz.

Qorvo Transistors de puissance RF au GaN QPD1426/QPD1426L

10/06/2026

- 220 W HEMT discrets GaN-on-SiC fonctionnant de 1,2 GHz à 1,4 GHz.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK8-FB

10/05/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diode TVS LTKAK1.5-L

10/05/2026

- Affiche une tension d'écrêtage inférieure à celle de technologies concurrentes telles que les MOV et les GDT.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK6-FB

10/05/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Infineon Technologies Module MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™

10/02/2026

- Module MOSFET CoolSiC 1 400 V pour onduleurs de traction de véhicules utilitaires électriques.

Littelfuse Barrette de diodes TVS SP4315-01WTG

10/01/2026

- Conception bidirectionnelle, capacité ultra-faible, protège les équipements électroniques contre des DES destructrices.

IXYS Modules de diodes de coupure IXBOD2

09/22/2026

- Fournissent une protection contre les surtensions rapide et fiable dans des applications d'électronique de puissance exigeantes.

Littelfuse Diodes à barrière de Schottky en silicium automobiles DSxARP

09/22/2026

- Permet une faible chute de tension directe et des performances électriques stables.

onsemi MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X

09/17/2026

- MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.

Vishay MOSFET de puissance 40 V à canal P automobile SQD50P04-09L

09/16/2026

- Le dispositif est idéal pour les applications de contrôle de la puissance dans le secteur automobile, la distribution d’énergie et les applications industrielles.

STMicroelectronics TVS unidirectionnelle à ligne unique TVS221SC-1T2

09/15/2026

- Conçue pour protéger la ligne électrique ou d'autres E/S bas débit contre les transitoires DES et les petits transitoires de surtension.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09/14/2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

onsemi Diode de protection DES ESDM1021

09/14/2026

- Diode DES bidirectionnelle compacte de 2 V pour la protection des broches GPIO et des lignes d’alimentation basse tension.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK10-FB

09/10/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diode TVS automobile TP7.0SMD-XC

09/10/2026

- Protège les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires induites par la foudre.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-FB

09/10/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-A

09/10/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK1-A

09/10/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Texas Instruments JFET double à canal N faible puissance JFE2325

09/09/2026

- Conçu pour une utilisation avec des capteurs à très haute impédance tels que les microphones à condensateur électret (ECM).

IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 35 mΩ et 67 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH100N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 21 mΩ et 102 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 55 mΩ et 48,3 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH150N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 13,5 mΩ et 147 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

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