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Les plus récent(e)s Semiconducteurs discrets

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Types de Semiconducteurs discrets

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STMicroelectronics TVS unidirectionnelle à ligne unique TVS221SC-1T2

09/15/2026

- Conçue pour protéger la ligne électrique ou d'autres E/S bas débit contre les transitoires DES et les petits transitoires de surtension.

STMicroelectronics SLLIMM pour onduleur triphasé et IGBT STGI15C60S

08/19/2026

- Ce dispositif est idéal pour les entraînements de moteur fonctionnant jusqu'à 20 kHz dans des circuits à commutation dure.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT1D5R10MEA

08/11/2026

- Il permet des pertes de conduction extrêmement faibles, une capacité de courant élevé et une exploitation de commutation ultra-rapide.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN SGT3D5R10MEB

08/10/2026

- Conçu pour des applications de commutation à haute efficacité et à courant élevé.

STMicroelectronics MOSFET de puissance à canal N STH4N150-2AG

08/10/2026

- Conçu pour garantir un niveau élevé de tension et de robustesse pour les applications automobiles.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STL059N4S8AG

03/31/2026

- Un MOSFET de puissance à canal N en mode enrichissement 40 V conçu avec la technologie Smart STRipFET F8.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT080R70ILB

12/04/2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN conçu pour des applications de conversion d’énergie à haute efficacité.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT070R70HTO

11/07/2025

- Construit sur la technologie GaN et conçu pour des applications exigeantes de conversion d'énergie.

STMicroelectronics Transistor PowerGaN e-mode SGT350R70GTK

10/28/2025

- Le transistor E-Mode PowerGaN optimisé pour une conversion d’énergie efficace dans des applications exigeantes.

STMicroelectronics Module d’alimentation automobile M2TP80M12W2-2LA

09/26/2025

- Propose une topologie PFC triphasée à 4 fils avec NTC intégré pour l’OBC dans les véhicules électriques et hybrides.

STMicroelectronics Module d’alimentation automobile M2P45M12W2-1LA

09/26/2025

- Propose une topologie à six packs avec NTC pour l’étape convertisseur CC/CC de l’OBC dans les véhicules électriques.

STMicroelectronics IGBT série IH2 1 600 V STGWA30IH160DF2

05/22/2025

- Créé en mettant en œuvre une structure avancée propriétaire à grille de tranchée et champ d'arrêt.

STMicroelectronics Protection DES unidirectionnelle automobile ESDAxWY

01/10/2025

- Les TVS (suppresseurs de tension transitoire) conçus pour protéger l’électronique sensible dans les environnements difficiles.

STMicroelectronics Thyristor SCR haute température TN8050H-12WL

01/01/2025

- Convient aux applications industrielles nécessitant une haute immunité avec un courant de grille plus faible.

STMicroelectronics IGBT STGSH50M120D ACEPACK SMIT avec diode

12/24/2024

- Il combine deux IGBTs et des diodes dans une topologie demi-pont.

STMicroelectronics Diode TVS ligne unique bidirectionnelle ESDZX168B-1BF4

10/14/2024

- Le dispositif est conçu pour protéger les lignes de données ou d’autres ports E/S contre les transitoires ESD.

STMicroelectronics Module pont ultra-rapide 600 V STTH120RQ06-M2Y

10/08/2024

- Convient à une utilisation dans des applications de chargeur, soit intégrée au véhicule, soit dans une station de chargement.

STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGWA30M65DF2AG

09/12/2024

- Conçu à l'aide d'une structure propriétaire avancée d'arrêt de champ à grille en tranchée.

STMicroelectronics IGBT de qualité automobile STGHU30M65DF2AG

09/12/2024

- Développé à l'aide d'une structure avancée à arrêt de champ à grille en tranchée.

STMicroelectronics Protection DES unidirectionnelle automobile ESDA5WY

09/10/2024

- Suppresseur de tension transitoire (TVS) unidirectionnel automobile développé pour les environnements difficiles.

STMicroelectronics Redresseur haute tension automobile STBR3012L2Y-TR

08/09/2024

- Conception de haute qualité avec des caractéristiques reproductibles constantes et une robustesse intrinsèque.

STMicroelectronics MOSFET de puissance MDmesh K6 à canal N

07/22/2024

- 800 V, protégés par Zener, testés à 100 % en avalanche et idéaux pour les convertisseurs Flyback et l’éclairage LED.

STMicroelectronics IGBT de série MS de classe automobile GWA40MS120DF4AG

07/03/2024

- Les modèles de 1 200 V, 40 A, à faibles pertes, offrent une faible résistance thermique et sont fournis dans un boîtier TO-247 à broches longues.

STMicroelectronics MOSFET de puissance STripFET F8 à canal N

12/01/2023

- Conformes à AEC-Q101, ils offrent une solution de boîtier complète de 30 V à 150 V.

STMicroelectronics IGBT haut débit série H 600 V 4 A STGD4H60DF

10/31/2023

- Conçus avec une structure avancée à arrêt de champ et grille en tranchée.

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Diodes Incorporated DMN2005K N-Ch E-Mode Field-Effect Transistor

10/19/2026

- Features low on-resistance, a very low gate threshold voltage, and fast switching performance.

Qorvo Transistor GaN à entrée adaptée QPD1000A

10/14/2026

- HEMT discret GaN‑on‑SiC, entrée 50Ω, adapté à une impédance d’entrée de 50 Ω, fonctionnement de 30 MHz à 1 215 MHz sur un rail d’alimentation de 28 V.

Qorvo Transistors de puissance RF au GaN QPD1426/QPD1426L

10/06/2026

- 220 W HEMT discrets GaN-on-SiC fonctionnant de 1,2 GHz à 1,4 GHz.

Qorvo Transistor de puissance RF au GaN QPD2562L

10/06/2026

- Un HEMT GaN-sur-SiC discret de 200 W à 300 W qui fonctionne de 2,5 GHz à 2,9 GHz et de 2,9 GHz à 3,3 GHz.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK6-FB

10/05/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diode TVS LTKAK1.5-L

10/05/2026

- Affiche une tension d'écrêtage inférieure à celle de technologies concurrentes telles que les MOV et les GDT.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK8-FB

10/05/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Infineon Technologies Module MOSFET HybridPACK™ HD CoolSiC™

10/02/2026

- Module MOSFET CoolSiC 1 400 V pour onduleurs de traction de véhicules utilitaires électriques.

Littelfuse Barrette de diodes TVS SP4315-01WTG

10/01/2026

- Conception bidirectionnelle, capacité ultra-faible, protège les équipements électroniques contre des DES destructrices.

Littelfuse Diodes à barrière de Schottky en silicium automobiles DSxARP

09/22/2026

- Permet une faible chute de tension directe et des performances électriques stables.

IXYS Modules de diodes de coupure IXBOD2

09/22/2026

- Fournissent une protection contre les surtensions rapide et fiable dans des applications d'électronique de puissance exigeantes.

onsemi MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X

09/17/2026

- MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.

Vishay MOSFET de puissance 40 V à canal P automobile SQD50P04-09L

09/16/2026

- Le dispositif est idéal pour les applications de contrôle de la puissance dans le secteur automobile, la distribution d’énergie et les applications industrielles.

STMicroelectronics TVS unidirectionnelle à ligne unique TVS221SC-1T2

09/15/2026

- Conçue pour protéger la ligne électrique ou d'autres E/S bas débit contre les transitoires DES et les petits transitoires de surtension.

onsemi Diode de protection DES ESDM1021

09/14/2026

- Diode DES bidirectionnelle compacte de 2 V pour la protection des broches GPIO et des lignes d’alimentation basse tension.

MACOM MLP7102-0503 PIN Diode

09/14/2026

- Designed for use in passive or active limiters from 100MHz to beyond 20GHz frequency range.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK10-FB

09/10/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK1-A

09/10/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diode TVS automobile TP7.0SMD-XC

09/10/2026

- Protège les équipements électroniques sensibles contre les surtensions transitoires induites par la foudre.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-FB

09/10/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Littelfuse Diodes TVS à sorties axiales AK3-A

09/10/2026

- Conçues pour résister aux conditions extrêmes des essais de surtension dans les applications de protection des lignes CA et CC.

Texas Instruments JFET double à canal N faible puissance JFE2325

09/09/2026

- Conçu pour une utilisation avec des capteurs à très haute impédance tels que les microphones à condensateur électret (ECM).

IXYS MOSFET SiC IXSH110N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 18 mΩ et 112 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH50N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 55 mΩ et 48,3 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

IXYS MOSFET SiC IXSH65N120L3KHV

09/02/2026

- MOSFET SiC 1200 V, 35 mΩ et 67 A, recommandé pour les alimentations à découpage industrielles.

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