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FDN340P

Name: onsemi FDN340P
Brand: onsemi
SKU: 512-FDN340P
Price: 0.67 EUR
Availability: InStock

Les images sont fournies à titre indicatif
Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

512-FDN340P

N° de fab. :

FDN340P

Fab. :

onsemi

Description :

MOSFET SSOT-3 P-CH -20V

Fiche technique:

FDN340P Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	onsemi
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	SMD/SMT
Package/Boîte:	SSOT-3
Polarité du transistor:	P-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	20 V
Id - Courant continu de fuite:	2 A
Rds On - Résistance drain-source:	60 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	8 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	1.5 V
Qg - Charge de grille:	10 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 150 C
Pd - Dissipation d’énergie :	500 mW
Mode canal:	Enhancement
Nom commercial:	PowerTrench
Conditionnement:	Reel
Conditionnement:	Cut Tape
Conditionnement:	MouseReel
Marque:	onsemi
Configuration:	Single
Temps de descente:	9 ns
Transconductance directe - min.:	9 S
Pic de température de soudage:	+ 260 C
Nombre de broches:	3
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	9 ns
Série:	FDN340P
Nombre de pièces de l'usine:	3000
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 P-Channel
Délai de désactivation type:	27 ns
Délai d'activation standard:	10 ns
Raccourcis pour l'article N°:	FDN340P_NL
Poids de l''unité:	30 mg

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Fiche technique

FDN340P Fiche technique (PDF)

Models

FDN340P Symbol & Footprint by SnapMagic

PCN

Codes de conformité

TARIC:: 8541210000
CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
USHTS:: 8541210095
JPHTS:: 854121000
KRHTS:: 8541219000
MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: Philippines
Pays de diffusion:: Corée, République de

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

PRODUITS PRÉSENTÉS

ONSEMI

MOSFET de puissance à canal N NVMTS1D1N08X

MOSFET 80 V pour l'industrie automobile avec diode de corps à faible résistance de conduction et récupération douce.

MOSFET de puissance à canal N simple 80 V

Offrent une faible R_DS(on), pour réduire les pertes par conduction, pour une faible QG et pour une capacité à réduire les pertes de pilotes.

MOSFET à canal N NVNJWS1K6N061L

Présente une faible R_DS(on) et une faible tension de seuil de grille avec une protection DES intégrée.

MOSFET de puissance monocanal N NVBYST0D8N08X

Optimisé pour l'exploitation à haute tension et résiste aux contraintes de commutation rapide et de courant élevé.

MOSFET NTMFD0D9N02P1E

MOSFET à canal N double conçu avec une faible R_g pour les applications à commutation rapide.

En stock: 5

Stock:: 5

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Sur commande:: 57 000

30/11/2026 attendu

63 000

21 000

01/01/2027 attendu

42 000

16/03/2028 attendu
Délai usine :: 52

Semaines Délai de production estimé en usine pour des quantités supérieures à celles indiquées.

Long délai signalé sur ce produit.

Entrez la quantité:

Minimum : 1 Multiples : 1

Prix unitaire:

-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Conditionnement:

Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)

Bande coupée

MouseReel™ (+5,00 €)

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
Ruban à découper / MouseReel™ ^†
	0,671 €	0,67 €
	0,365 €	3,65 €
	0,262 €	26,20 €
	0,194 €	97,00 €
	0,175 €	175,00 €
Bobine complète(s) (commandez en multiples de 3000)
	0,126 €	378,00 €

† Les frais pour 5,00 € MouseReel™ seront calculés et ajoutés à votre panier. Les commandes MouseReel™ ne peuvent être ni annulées ni retournées. ↩

FDN340P

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Fab. : onsemi

Description : MOSFET SSOT-3 P-CH -20V

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