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GTRB266502FC-V1-R2

MACOM

N° Mouser :

941-GTRB266502FCV1R2

N° de fab. :

GTRB266502FC-V1-R2

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN 630W,48V,2620-2690MHz,GaN HEMT (250pcs)

Fiche technique:

GTRB266502FC-V1-R2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

Téléchargez gratuitement le chargeur de bibliothèque pour convertir ce fichier pour votre outil ECAD. En savoir plus sur le modèle ECAD.

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Marque:	MACOM
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Transistors
Technologie:	GaN
Type de transistor:	GaN HEMT

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Attributs sélectionnés: 0

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Fiche technique

GTRB266502FC-V1-R2 Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

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Codes de conformité

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

PRODUITS PRÉSENTÉS

MACOM

GaN on SiC Transistors

Next-generation RF power transistors that deliver industry-leading gain, efficiency, and power.

CGHV31500F1 2.7GHz to 3.1GHz, 500W GaN HEMT

Offers high efficiency and high gain designed explicitly for the 2.7GHz to 3.1GHz S-Band radar band.

CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT

Offers high efficiency, high gain, and vast bandwidth capabilities.

CGHV38375F 400W IM GaN on SiC Transistor

400W HPA matched to 50Ω at both input and output ports., 2.75GHz to 3.75GHz frequency.

JFET RF et FET LDMOS 5G

Transistors haute puissance thermiquement améliorés pour la prochaine génération de transmission sans fil.

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