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RoHS

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GTRB266502FC-V1-R2

MACOM

N° Mouser :

941-GTRB266502FCV1R2

N° de fab. :

GTRB266502FC-V1-R2

Fab. :

MACOM

Description :

FET GaN 630W,48V,2620-2690MHz,GaN HEMT (250pcs)

Cycle de vie:

Commande spéciale d''usine:

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Fiche technique:

GTRB266502FC-V1-R2 Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	MACOM
Catégorie du produit:	FET GaN
RoHS:
Technologie:	GaN
Marque:	MACOM
Sensibles à l’humidité:	Yes
Conditionnement:	Reel
Type de produit:	GaN FETs
Nombre de pièces de l'usine:	250
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	GaN HEMT

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Attributs sélectionnés: 0

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Fiche technique

GTRB266502FC-V1-R2 Fiche technique (PDF)

PCN

Product Change Notification 2024-04-25 (PDF)

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Codes de conformité

USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: Non disponible

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

PRODUITS PRÉSENTÉS

MACOM

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CGHV35400F 400W 50Ω I/O Matched GaN HEMT

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GTVA High Power RF GaN on SiC HEMTs

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