Commutateurs de puissance GaN en mode amélioré NCP5892

Le commutateur de puissance GaN en mode amélioré NCP5892 d'onsemi intègre un pilote en silicium (Si) haute performance, haute fréquence et des transistors HEMT GaN (High-Electron-Mobility Transistors) de 650 V en nitrure de gallium dans une structure de commutateur unique. La puissante combinaison du pilote Si et du commutateur de puissance GaN HEMT offre des performances supérieures par rapport à la solution discrète GaN HEMT et au pilote externe. La mise en œuvre intégrée NCP5892 d’Onsemi réduit considérablement les parasites du circuit et du boîtier tout en permettant une conception plus compacte.

Résultats: 3
Sélectionner Image Référence Fab. Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité. Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage Package/Boîte Température de fonctionnement min. Température de fonctionnement max. Technologie
onsemi FET GaN SINGLE CHANNEL INTEGRATED
2 97516/11/2026 attendu
Bande coupée
16,11 €
11,52 €
11,45 €
10,03 €
Bobine
8,87 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000
SMD/SMT TQFN-26 - 40 C + 150 C GaN
onsemi FET GaN SINGLE CHANNEL INTEGRATED
3 00009/11/2026 attendu
Bande coupée
11,27 €
7,85 €
6,37 €
6,32 €
Bobine
5,44 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000
SMD/SMT TQFN-26 - 40 C + 150 C GaN
onsemi FET GaN SINGLE CHANNEL INTEGRATED DRIVER AND GAN POWER TRANSISTOR
2 97509/11/2026 attendu
Bande coupée
8,35 €
5,72 €
4,34 €
4,27 €
Bobine
3,67 €
Min. : 1
Mult. : 1
: 3 000
SMD/SMT TQFN-26 - 40 C + 150 C GaN