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IS20M8R0S1P

Name: iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P
Brand: iDEAL Semiconductor
SKU: 25-IS20M8R0S1P
Price: 5.07 EUR
Availability: OutOfStock

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Voir les caractéristiques du produit

N° Mouser :

25-IS20M8R0S1P

N° de fab. :

IS20M8R0S1P

Fab. :

iDEAL Semiconductor

Description :

MOSFET N-CH 200V 128A TO-220

Cycle de vie:

Nouveau produit:

Nouveau chez ce fabricant.

Fiche technique:

IS20M8R0S1P Fiche technique (PDF)

Modèle de ECAO:

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Attribut de produit	Valeur d'attribut	Sélectionner l'attribut
Fabricant:	iDEAL Semiconductor
Catégorie du produit:	MOSFET
RoHS:
Technologie:	Si
Style de montage:	Through Hole
Package/Boîte:	TO-220-3
Polarité du transistor:	N-Channel
Nombre de canaux:	1 Channel
Vds - Tension de rupture drain-source:	200 V
Id - Courant continu de fuite:	128 A
Rds On - Résistance drain-source:	8.3 mOhms
Vgs - Tension grille-source:	20 V
Vgs th - Tension de seuil grille-source :	4.1 V
Qg - Charge de grille:	73 nC
Température de fonctionnement min.:	- 55 C
Température de fonctionnement max.:	+ 175 C
Pd - Dissipation d’énergie :	333 W
Mode canal:	Enhancement
Conditionnement:	Tube
Marque:	iDEAL Semiconductor
Configuration:	Single
Temps de descente:	5.5 ns
Transconductance directe - min.:	37 S
Type de produit:	MOSFETs
Temps de montée:	5.9 ns
Sous-catégorie:	Transistors
Type de transistor:	1 N-Channel
Délai de désactivation type:	41.8 ns
Délai d'activation standard:	18.7 ns

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Fiche technique

IS20M8R0S1P Fiche technique (PDF)

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SuperQ Intro

Codes de conformité

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Classifications d’origine

Pays d'origine:: États-Unis
Pays d'origine de l'assemblage:: Non disponible
Pays de diffusion:: États-Unis

Le pays est susceptible de changer au moment de l’expédition.

IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET is engineered for high-efficiency SMPS and motor drive applications. This MOSFET delivers low R_DS(on)and Q_SW,resulting in lower switching losses and reduced heat dissipation at both full and partial loads. Typical applications include motor control, boost converters, and SMPS control FETs, and secondary side synchronous rectifiers.

PRODUITS PRÉSENTÉS

IDEAL SEMICONDUCTOR

IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

Features low switching losses, Q_SW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

iS20M028S1C SuperQ™ 200V N-Ch Power MOSFET

Designed for SMPS and high-efficiency motor drives in a robust PDFN package measuring 5mm x 6mm.

iS15M7R1S1C SuperQ™ 150V N-Channel Power MOSFETs

Designed to deliver superior efficiency and switching performance in demanding power applications.

Disponibilité

Stock:: 0

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Délai usine :: 8

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Minimum : 1 Multiples : 1

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-,-- €

Ext. Prix:

-,-- €

Tarif est.:

Prix (EUR)

Qté.	Prix unitaire	Ext. Prix
	5,07 €	5,07 €
	3,32 €	33,20 €
	2,44 €	244,00 €
	2,18 €	1 090,00 €
	1,92 €	1 920,00 €
	1,83 €	4 575,00 €
	1,76 €	8 800,00 €

IS20M8R0S1P

Fab. : iDEAL Semiconductor

Description : MOSFET N-CH 200V 128A TO-220

Caractéristiques

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IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

PRODUITS PRÉSENTÉS IDEAL SEMICONDUCTOR

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Fab. :

iDEAL Semiconductor

Description :

MOSFET N-CH 200V 128A TO-220

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