FET GaN – Mouser France

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Transistors E-Mode G-HEMT™ PowerGaN

Les transistors E-Mode G-HEMT™ PowerGaN de STMicroelectronics sont des dispositifs au nitrure de gallium (GaN) hauteperformance, à enrichissement (normalement désactivés) conçus pour fournir une commutation exceptionnellement rapide, de faibles pertes par conduction et une densité de puissance élevée pour les applications de conversion de puissance exigeantes. Ces transistors tirent parti des avantages de la large bande interdite du nitrure de gallium pour atteindre des capacités extrêmement faibles, une charge de grille minimale et une charge de recouvrement inverse nulle, offrant ainsi une efficacité supérieure par rapport aux commutateurs de puissance en silicium traditionnels.

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Package/Boîte

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Image	Référence	Fab.	Description	Fiche technique	Disponibilité	Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.	Qté.	Style de montage	Package/Boîte	Polarité du transistor	Nombre de canaux	Vds - Tension de rupture drain-source	Id - Courant continu de fuite	Rds On - Résistance drain-source	Vgs - Tension grille-source	Vgs th - Tension de seuil grille-source	Qg - Charge de grille	Température de fonctionnement min.	Température de fonctionnement max.	Pd - Dissipation d’énergie	Mode canal	Technologie
FET GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor SGT070R70HTO STMicroelectronics 1: 8,57 € 354En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence SGT070R70HTO Référence Mouser 511-SGT070R70HTO Nouveau produit	STMicroelectronics	FET GaN 700 V, 53 mOhm typ., 26 A, e-mode PowerGaN transistor En savoir plus sur STMicroelectronics sgt070r70hto transistor	Fiche technique	354En stock	Bande coupée 8,57 € 4,72 € 4,41 € 3,74 € Bobine 3,74 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 1 800	SMD/SMT	TO-LL-11			700 V	26 A	70 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	8.5 nC	- 55 C	+ 150 C	231 W	Enhancement	GaN
FET GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor SGT080R70ILB STMicroelectronics 1: 5,89 € 704En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence SGT080R70ILB Référence Mouser 511-SGT080R70ILB Nouveau produit	STMicroelectronics	FET GaN 700 V, 60 mOhm typ., 29 A, e-mode PowerGaN transistor En savoir plus sur STMicroelectronics sgt080r70ilb transistor	Fiche technique	704En stock	Bande coupée 5,89 € 3,14 € 2,87 € 2,69 € 2,37 € Bobine 2,28 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	29 A	80 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	6.2 nC	- 55 C	+ 150 C	188 W	Enhancement	GaN
FET GaN 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor SGT105R70ILB STMicroelectronics 1: 5,12 € 760En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence SGT105R70ILB Référence Mouser 511-SGT105R70ILB Nouveau produit	STMicroelectronics	FET GaN 700 V, 80 mOhm typ., 21.7 A, e-mode PowerGaN transistor En savoir plus sur STMicroelectronics sgt powergan transistors	Fiche technique	760En stock	Bande coupée 5,12 € 2,69 € 2,45 € 2,23 € 2,14 € Bobine 1,89 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	21.7 A	105 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	4.8 nC	- 55 C	+ 150 C	158 W	Enhancement	GaN
FET GaN 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor SGT140R70ILB STMicroelectronics 1: 4,36 € 728En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence SGT140R70ILB Référence Mouser 511-SGT140R70ILB Nouveau produit	STMicroelectronics	FET GaN 700 V, 106 mOhm typ., 17 A, e-mode PowerGaN transistor En savoir plus sur STMicroelectronics sgt powergan transistors	Fiche technique	728En stock	Bande coupée 4,36 € 3,11 € 2,34 € 2,25 € Afficher Bobine 1,62 € 1,91 € 1,62 € Devis MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	17 A	140 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	3.5 nC	- 55 C	+ 150 C	113 W	Enhancement	GaN
FET GaN 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor SGT190R70ILB STMicroelectronics 1: 3,47 € 790En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence SGT190R70ILB Référence Mouser 511-SGT190R70ILB Nouveau produit	STMicroelectronics	FET GaN 700 V, 138 mOhm typ., 11.5 A, e-mode PowerGaN transistor En savoir plus sur STMicroelectronics sgt powergan transistors	Fiche technique	790En stock	Bande coupée 3,47 € 1,76 € 1,60 € 1,32 € Bobine 1,12 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	11.5 A	190 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2.8 nC	- 55 C	+ 150 C	83 W	Enhancement	GaN
FET GaN 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor SGT240R70ILB STMicroelectronics 1: 3,29 € 776En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence SGT240R70ILB Référence Mouser 511-SGT240R70ILB Nouveau produit	STMicroelectronics	FET GaN 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor En savoir plus sur STMicroelectronics sgt powergan transistors	Fiche technique	776En stock	Bande coupée 3,29 € 1,66 € 1,51 € Bobine 1,51 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 Max. : 100 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-8			700 V	10 A	240 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2 nC	- 55 C	+ 150 C	76 W	Enhancement	GaN
FET GaN 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor SGT350R70GTK STMicroelectronics 1: 2,41 € 547En stock Nouveau produit	Fab. Numéro de référence SGT350R70GTK Référence Mouser 511-SGT350R70GTK Nouveau produit	STMicroelectronics	FET GaN 700 V, 270 mOhm typ., 6 A, e-mode PowerGaN transistor En savoir plus sur STMicroelectronics sgt350r70gtk transistor	Fiche technique	547En stock	Bande coupée 2,41 € 1,19 € 1,07 € 0,857 € Bobine 0,716 € Afficher 0,826 € 0,68 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 2 500	SMD/SMT	DPAK-3			700 V	6 A	350 mOhms	- 1.4 V, + 7 V	2.5 V	1.5 nC	- 55 C	+ 150 C	47 W	Enhancement	GaN
FET GaN 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor SGT240R70ITK STMicroelectronics 1: 2,47 € 2 50020/11/2026 attendu Nouveau produit	Fab. Numéro de référence SGT240R70ITK Référence Mouser 511-SGT240R70ITK Nouveau produit	STMicroelectronics	FET GaN 700 V, 165 mOhm typ., 10 A, e-mode PowerGaN transistor En savoir plus sur STMicroelectronics sgt powergan transistors	Fiche technique	2 50020/11/2026 attendu	Bande coupée 2,47 € 1,22 € 1,10 € 0,886 € Bobine 0,738 € Afficher 0,853 € 0,705 € MouseReel disponible	Min. : 1 Mult. : 1 : 2 500	SMD/SMT	DPAK-2	N-Channel	1 Channel	700 V	10 A	240 mOhms	- 6 V, + 7 V	2.5 V	2 nC	- 55 C	+ 150 C	77 W	Enhancement	GaN
FET GaN 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor SGT65R65AL STMicroelectronics 3 000: 4,71 € Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines	Fab. Numéro de référence SGT65R65AL Référence Mouser 511-SGT65R65AL	STMicroelectronics	FET GaN 650 V, 49 mOhm typ., 25 A, e-mode PowerGaN transistor En savoir plus sur STMicroelectronics stm sgt65r65al transistors	Fiche technique	Délai de livraison produit non stocké 52 Semaines	Bobine 4,71 €	Min. : 3 000 Mult. : 3 000 : 3 000	SMD/SMT	PowerFLAT-4	N-Channel	1 Channel	650 V	25 A	65 mOhms	+ 6 V	1.8 V	5.4 nC	- 55 C	+ 150 C	305 W		GaN-on-Si

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