MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 de 150 V

Les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 de 150 V d’Infineon Technologies présentent une faible résistance R_DS(on) de pointe, des performances de commutation améliorées et un excellent comportement EMI qui contribuent à une efficacité, une densité de puissance et une fiabilité inégalées. La technologie OptiMOS 6 offre des améliorations significatives par rapport à son prédécesseur, OptiMOS 5, notamment une résistance R_{DS(on) 41 % plus faible}, un facteur de mérite FOM_g de 20 % inférieur et un facteur de mérite FOM_gd de 17 % inférieur. De plus, ces MOSFET présentent une robustesse élevée en matière d’avalanches et une température de jonction maximale de +175 °C, garantissant ainsi une exploitation robuste et stable dans des environnements exigeants. Avec un large portefeuille de boîtier, les MOSFET de puissance OptiMOS™ 6 de 150 V d’Infineon sont conçus pour répondre aux exigences strictes des applications de fréquence à commutation élevée et faible, offrant une fiabilité améliorée du système et une durée de vie plus longue.