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MOSFET de puissance N voies double NTJD5121N/NVJD5121N
Les MOSFET de puissance à canal N doubles NTJD5121N/NVJD5121N d'onsemi disposent d’un faible RDS (on), seuil de grille et capacité d’entrée. Les MOSFET NTJD5121N/NVJD5121N d'onsemi disposent d’une tension drain-source de 60 V et d’un courant de drain continu maximal de 295 μA. Les NTJD5121N/NVJD5121N sont homologués AEC-Q101 et compatibles PHPP, idéaux pour les applications automobiles.