DMT26M0LDG MOSFET asymétriques à double canal N

Les MOSFET asymétriques à double canal N DMT26M0LDG de Diodes Inc. sont conçus pour minimiser la résistance à l’état passant [R_DS(ON)] tout en maintenant des performances de commutation supérieures. Ces MOSFET ont une tension de rupture drain-source (BV_DSS) de 25 V. La résistance statique drain-source en fonctionnement [R_DS(ON)] pour Q1 est de 6 mΩ à V_GS = 10 V, 7,5 mΩ à V_GS = 4,5 V ou Q2 est de 2,0 mΩ à V_GS = 10 V, 3,1 mΩ à V_GS = 4,5 V. La tension nominale du courant de drain continu (I_D) pour Q1 est de 11,6 A à V_GS = 10 V, 10,4 A à V_GS = 4,5 V, ou Q2 est de 20,1 A à V_GS = 10 V, 16,1 A à V_GS = 4,5 V. Ces valeurs rendent ces dispositifs DMT26M0LDG de Diodes Inc. idéaux pour des applications de gestion d'énergie à haute efficacité.