Pseudo SRAM/CellularRAM

ISSI Pseudo SRAM/CellularRAM Devices offer the best of both DRAM and SRAM features. ISSI PSRAM/CellularRAM has an SRAM-like architecture. Unlike DRAM, there is a hidden re-fresh feature that does not require a physical refresh. These CellularRAM devices are designed in accordance with the CellularRAM standards and are available in CRAM 1.5 and CRAM 2.0.

Types de Semi-conducteurs
Modifier la vue par catégorie
Résultats: 51
Sélectionner Image Référence
 Fab.
Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS
ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Fiche technique
86En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Fiche technique
106En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 2.7V-3.6V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 389En stock
Min. : 1
Mult. : 1


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Fiche technique
611En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

ISSI SRAM 16Mb 70ns 2.5v-3.6v 1M x 16 Pseudo SRAM
Fiche technique
539En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI IS66WVE4M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 64Mb Pseudo SRAM 4Mx16 70ns
Fiche technique
551En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI IS66WVC2M16ECLL-7010BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page/Burst CRAM 1.5, 2M x 16,70ns,1.7v-1.95v,54 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Fiche technique
480En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 1.7V-1.95V, VDDQ 1.7V-1.95V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Fiche technique
310En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI SRAM Pseudo SRAM, 64Mb 4Mb x16bits, CLL
Fiche technique
230En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI IS66WVE2M16ECLL-70BLI
ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM 2M x 16 70ns
Fiche technique
215En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Fiche technique
885En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 1.8V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Fiche technique
936En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, HyperRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Fiche technique
786En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, QUADRAM, 1.65V-1.95V, 200MHz, 24-ball TFBGA, RoHS 450En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, OctalRAM, 8Mbx8, 3.0V, 166MHz, 24-ball TFBGA, RoHS
Fiche technique
1 882En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Fiche technique
1 044En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, SPI and QPI Protocol, 3V, 104MHz, SOIC-8
Fiche technique
661En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI SRAM 64Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 4M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Fiche technique
4 005En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

ISSI DRAM 32Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 2.7V-3.6V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Fiche technique
140En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI DRAM 64Mb, SerialRAM, Continuous Operation, 1.65V-1.95V, 104MHz, 8 pin SOIC 150 mil, RoHS
Fiche technique
136En stock
Min. : 1
Mult. : 1


ISSI SRAM 8Mb,Pseudo SRAM,Async,512K x 16,70ns,2.5v-3.6v,44 Pin TSOP II, RoHS
Fiche technique
755En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI SRAM 16Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 1M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Fiche technique
48031/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI SRAM Pseudo SRAM 64Mb
Fiche technique
1 709En stock
Min. : 1
Mult. : 1

ISSI SRAM 32Mb,Pseudo SRAM,Asynch/Page, 2M x 16,70ns,VDD 2.7V-3.6V, VDDQ 2.7V-3.6V,48 Ball BGA (6x8 mm), RoHS
Fiche technique
2 319En stock
MouseReel disponible
Min. : 1
Mult. : 1
: 2 500

ISSI IS66WV51216EBLL-55TLI
ISSI SRAM 8Mb Pseudo SRAM Async 512Kx16 55ns
Fiche technique
705En stock
1 35029/07/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1