MOSFET de puissance SiC 1 200 V 91 A SCTW70N120G2V

Le MOSFET de puissance SiC (carbure de silicium) 1 200 V 91 A SCTW70N120G2V de STMicroelectronics dispose d'une résistance à l'état passant minimale et de très bonnes performances de commutation presque indépendantes de la température, en raison des propriétés innovantes et avancées des matériaux à large bande interdite. Le SCTW70N120G2V offre également une diode de corps intrinsèque très rapide et robuste et des capacités de charge de grille et d'entrée extrêmement faibles. Une température nominale élevée de 200 °C permet une conception thermique améliorée des systèmes électroniques de puissance.

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Description Fiche technique Disponibilité Prix (EUR) Filtrer les résultats dans le tableau par prix unitaire basé sur votre quantité.
Qté. RoHS Modèle de ECAO Style de montage
Package/Boîte
Polarité du transistor
Nombre de canaux
Vds - Tension de rupture drain-source
Id - Courant continu de fuite
Rds On - Résistance drain-source
Vgs - Tension grille-source
Vgs th - Tension de seuil grille-source
Qg - Charge de grille
Température de fonctionnement min.
Température de fonctionnement max.
Pd - Dissipation d’énergie
Mode canal
Qualification


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 18.5 mOhm typ., 100 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
327En stock
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole Hip247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 100 A 28 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 121 nC - 55 C + 200 C 541 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
65En stock
1 20029/01/2027 attendu
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole HiP-247-4 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 41 nC - 55 C + 200 C 236 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Fiche technique
49En stock
Min. : 1
Mult. : 1
: 1 000

SMD/SMT H2PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101


STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HU3PAK package
Fiche technique
1 19928/09/2026 attendu
Min. : 1
Mult. : 1
: 600

SMD/SMT HU3PAK-7 N-Channel 1 Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 37 nC - 55 C + 175 C 223 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SiC MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
Fiche technique
Délai de livraison produit non stocké 32 Semaines
Min. : 1
Mult. : 1

Through Hole HiP247-4 N-Channel 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 41 nC - 55 C + 200 C 236 W Enhancement